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VLSI系统设计
VLSI系统设计
第2章MOS器件
东南大学 单伟伟
2016.10
东南大学-国家ASIC 中心 1
VLSI系统设计
上周课内容回顾:
集成电路发展史
摩尔定律
电子信息系统构成
VLSI设计流程
(2)
VLSI系统设计
本章概要
MOS晶体管结构及基本工作原理
MOS晶体管的电流-电压特性
MOS晶体管的阈值电压VT
MOS晶体管主要电参量
速度饱和
FinFET晶体管
东南大学-国家ASIC 中心 3
VLSI系统设计
先回顾几个概念
导体、半导体
载流子、多子、少子
掺杂、N型半导体、P型半导体
PN结
MOSFET:Metal-Oxide-Silicon Field Effect
Transistor
4
VLSI系统设计
2.1.1 MOS 晶体管结构
NMOS管有几个端口?
东南大学-国家ASIC 中心 5
VLSI系统设计
2.1.1 MOS 晶体管结构
2.1.1 MOS 晶体管结构及基本工作原理
NMOS PMOS
东南大学-国家ASIC 中心 6
VLSI系统设计
思考题:怎么样才能让NMOS管工作?
两个N+区哪个是源端,哪个是漏端?
东南大学-国家ASIC 中心 7
VLSI系统设计
2.1.1 MOS 晶体管的基本工作原理
VTN :阈值电压
D S
+ - 工作条件:VDS很小时
V
东南大学-国家ASIC 中心 8
VLSI系统设计
工作条件:VDS很小时
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