铁磁性锰氧化物掺杂!#压敏电阻性能研究!.PDFVIP

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第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报 )’ ) $$4 ) , , , M: 3)’ ^ 3) /+; $$4 ( ) #$$$7%($N$$4N)’ $) N%#447$) [K5[ I\]-WK[ -W^WK[ !$$4 K=90 3 I=;@ 3 -G 3 铁磁性锰氧化物掺杂的!# 压敏电阻性能研究! 羊新胜 赵 勇! (材料先进技术教育部重点实验室和超导研究开发中心,西南交通大学,成都 #$$%#) ( 年 月 日收到; 年 月 日收到修改稿) $$’ ( ) $$’ #$ # 利用通常的电子陶瓷制备工艺制备了铁磁性锰氧化物 掺杂的 陶瓷 晶界处存在 *+ -. /01 201 3 $ ,’ $ ,% % ( )和 ( )两种杂相 样品中绝缘相 的含量显著影响着样品的电学性能 掺杂后 *+ -. /01 *-/1 *+/01 */1 3 */1 3 $ ,’ $ ,% % % 的样品仍具有一定的铁磁性 在样品上施加磁场后,样品电阻值增加,表现为正磁电阻性质 正磁电阻的出现,是 3 3 由于磁场的存在增加了晶界处势垒的高度造成的3 结果表明磁场可以改变多晶陶瓷样品中晶界处势垒的性质,从 而改变样品的电输运特性3 关键词: ,压敏电阻,锰氧化物,正磁电阻 201 : , , $% ’4$5 ’$/ ’%%$ 陶瓷的微观结构、电学性质以及磁场对电性质的影 #, 引 言 响等特性3 201 是最典型的一种压敏电阻材料,因其具有 , 实 验 优异的非线性电压7 电流特性,现已经广泛应用于过 [] 压保护、稳压等方面# 3 201 压敏电阻在制备过程 前驱粉( )用溶胶 凝胶方 *+ -. /01 *-/1 7 $ ,’ $ ,% %

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