热压烧结GZO陶瓷致密化与固相反应-中国有色金属学报.PDF

第 27 卷第 11 期 中国有色金属学报 2017 年 11 月 Volume 27 Number 11 The Chinese Journal of Nonferrous Metals November 2017 DOI ：10.19476/j.ysxb.1004.0609.2017.11.14 热压烧结GZO 陶瓷致密化与固相反应 叶林龙1, 2 1 1 1 2 1 ，孙宜华 ，方 亮 ，陈鑫智 ，常宝成 ，程志敏 (1. 三峡大学 材料与化工学院 无机非金属晶态与能源转换材料重点实验室，宜昌 443002 ； 2. 广西新未来信息产业股份有限公司，北海 536000) 摘 要：以Ga O 掺杂量(质量分数)为 3%的ZnO-Ga O 混合粉体为原料，采用热压烧结法制备 GZO 陶瓷。通过 2 3 2 3 XRD 、SEM、阿基米德排水法和四探针法对烧结试样的物相组成、显微结构、密度和电阻率等进行分析表征。结 果表明：外加压力能有效降低 GZO 陶瓷烧结致密化温度；当外加压力为 18 MPa 时，随烧结温度升高，烧结体的 密度和电导率增大；当烧结温度达 1150 ℃时，烧结体密度和电导率达到最大值；但当烧结温度继续增大时，由 于晶粒粗化和 Zn 元素挥发导致试样中气孔长大，试样致密度与导电性呈下降趋势。此外，ZnO-Ga2O3 混合粉体 在烧结温度较低时(1050 ℃)，Ga O 与 ZnO 固相反应生成ZnGa O 立方尖晶石相；随着烧结温度升高，ZnGa O 2 3 2 4 2 4 将与 ZnO 继续反应，生成与 ZnO 六方纤锌矿结构呈共格关系的复杂化合物 Zn Ga O ，并且化合物化学式中 x x 2 x+3 值随着烧结温度的升高而增加，化合物晶体结构逐渐接近 ZnO 六方纤锌矿结构。 关键词：GZO 陶瓷；热压烧结；烧结温度；致密化；固相反应 文章编号：1004-0609(2017)-11-2293-06 中图分类号：TQ174 文献标志码：A 透明导电氧化物(TCO)薄膜是一种具有独特光电 密度为理论密度(Theoretical density)的 99.23 %，并研 特性的材料，其本身具有较高的载流子浓度，是良好 究了陶瓷靶材与沉积薄膜性能之间的关系。LIU 等[14] 的导电体，同时又具备一定的透光性。因此，被广泛 研究了不同 Ga 掺杂浓度(0~3%)对靶材性能的影响。 应用于电子、信息、光学等各个领域。ZnO 作为 TCO WU 等[15]研究了 GZO 陶瓷靶材掺杂 3%和 5%的 Ga 薄膜材料之一，具有带隙宽、介电常数低、温度稳定 时无压烧结的相转变与致密化机理，在两种掺杂浓度 性好、光透过率高、化学性能稳定等特点，并且 Zn 下分别制得相对密度为 99.3%和 94.3%的靶材。从现 储量丰富，价格低廉，自 20 世纪 80 年代起就被广泛 有文献报道来看，GZO 陶瓷靶材只有在 Ga 掺杂量较 报到和研究[1] 。通过对ZnO 的掺杂改性可以有效提高 低时