数字集成电路分析与设计：深亚微米工艺 （第3版）.pdfVIP

丛书名= 书名=数字集成电路分析与设计：深亚微米工艺 （第3版） 安 陈自力等译 出版社=电子工业出版社 出版日期=2005年09月 ISBN号=7-121-01666-4 页数=425 原书定价=48.00 主题词=数字集成电路(学科: 电路分析) 数字集成电路(学科: 电路设计) 数字集成 电路 电路分析 电路设计 内容提要=本书以半导体器件物理为基础，阐述了深亚微米工艺中数字集成电路的设 计技术。 Saleh著；蒋平安，王新安，陈自力等译. 数字集成电路分析与设计 深亚微米工艺. 北京市：电子工业出版社, 2005.08. 中图法分类号 =TN431.2 (工业技术gt;无线电电子学、电信技术gt;微电子学、集 成电路（IC）gt;半导体集成电路（固体电路）gt;双极型gt;数字集成电路、逻辑 集成电路) SS号 DX号=000005946797 3139353336383336 A0DBF7C50A4E06644DBB9857FBAFC 封面 书名 版权 前言 目录 第1章　深亚微米数字集成电路设计 1.1 绪论 1.2　集成电路产业的简要历史 1.3　数字逻辑门设计的回顾 1.3.1　基本的逻辑函数 1.3.2　逻辑电路的实现 1.3.3　噪声容限的定义 1.3.4　瞬态特性的定义 1.3.5　功耗估算 1.4　数字集成电路设计 1.4.1 MOS晶体管的结构和工作原理 1.4.2　CMOS与NMOS 1.4.3　深亚微米互连 1.5　数字电路的计算机辅助设计 1.5.1 电路模拟和分析 1.6　面临的挑战 1.7　小结 1.8　参考文献 1.9　习题 第2章　MOS晶体管 2.1 绪论 2.2　MOS晶体管的结构和原理 2.3　MOS晶体管的阈值电压 2.4　一次电流-电压特性 2.5　速度饱和公式的来源 2.5.1 高电场的影响 2.5.2　速度饱和器件的电流公式 2.6　α功率定律模型 2.7　亚阈值传导 2.8　MOS晶体管的电容 2.8.1　薄氧化物电容 2.8.2　pn结电容 2.8.3　覆盖电容 2.9　小结 2.10　参考文献 2.11　习题 第3章　制造、版图和模拟 3.1 绪论 3.2　IC制造工艺 3.2.1 IC制造工艺概述 3.2.2　IC光刻工艺 3.2.3　晶体管的制造 3.2.4　制造连线 32.5　连线电容和电阻 3.3 版图基础 3.4　电路模拟中MOS晶体管的模型构造 3.4.1 SPICE中的MOS模型 3.4.2 MOS晶体管的具体说明 3.5 SPICE MOS LEVEL 1器件模型 3.5.1 MOS LEVEL 1参数的提取 3.6 BSIM3模型 3.6.1