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高压防闩锁型单通道SPDT开关 ADG5419 产品特性 功能框图 所有条件下都具有防闩锁特性 ADG5419 人体模型(HBM)ESD额定值：8 kV SA D 低导通电阻：13.5 Ω SB ±9 V至±22 V双电源供电 IN 9 V至40 V单电源供电 1 0 最大额定电源电压：48 V 0- 0 7 SWITCHES SHOWN FOR A LOGIC 0 INPUT. 3 1 额定电源电压范围：±15 V 、±20 V 、+12 V和+36 V 1 图1. 模拟信号范围：VDD至VSS 应用 高压信号路由 自动测试设备 模拟前端电路 精密数据采集系统 工业仪器仪表 放大器增益选择 继电器替代方案 概述 产品特色 ADG5419 是一款单芯片工业用互补金属氧化物半导体 1. 沟道隔离可防止闩锁。电介质沟道将P沟道与N沟道晶 (CMOS)模拟开关，内置防闩锁单刀双掷(SPDT)开关。 体管分开，保证即使在严重过压状况下，也不会发生闩 锁