毫米波GaN基HEMT器件分析-电磁场与微波技术专业论文.docxVIP

万方数据 万方数据 原创性声明 本人郑重声明：所呈交的学位论文，是本人在导师指导下，进行研究工作所取得 的成果。除文中已经注明引用的内容外，本学位论文不包含任何他人或集体已经发表 的作品内容，也不包含本人为获得其他学位而使用过的材料。对本论文所涉及的研究 工作做出贡献的其他个人或集体，均已在文中以明确方式标明。本学位论文原创性声 明的法律责任由本人承担。 关于学位论文版权使用授权的说明 本人完全了解河北工业大学关于收集、保存、使用学位论文的以下规定：学校有 权采用影印、缩印、扫描、数字化或其它手段保存论文；学校有权提供本学位论文全 文或者部分内容的阅览服务；学校有权将学位论文的全部或部分内容编入有关数据库 进行检索、交流；学校有权向国家有关部门或者机构送交论文的复印件和电子版。 （保密的学位论文在解密后适用本授权说明） 摘 要 GaN 材料卓越的电学特性使得 GaN 基 HEMT 器件日益成为毫米波功率器件的重 要选择。本论文首先概括了 GaN 基 HEMT 器件的国内外发展现状，提出了毫米波 GaN 基 HEMT 器件的研究意义；并对 GaN 基 HEMT 器件的基本结构和工作原理进行了简 单的介绍。 对 GaN 基 HEMT 器件的设计进行了仿真研究。基于新一代 TCAD 工具-Sentaurus Device 中的物理模型的合理选择及参数修正，进行 GaN 基 HEMT 器件