超短沟道绝缘层上硅平面场效应晶体管中热载流子注入应力.pdf

超短沟道绝缘层上硅平面场效应晶体管中热载流子注入应力导致的退化对沟道长度的依赖性 刘畅 卢继武 吴汪然 唐晓雨 张睿 俞文杰 王曦 赵毅 Gatelengthdependenceofhotcarrierinjectiondegradationinshortchannelsilicononinsulatorplanar MOSFET LiuChang LuJi-Wu WuWang-Ran TangXiao-Yu ZhangRui YuWen-Jie WangXi Zhao Yi 引用信息Citation: ActaPhysicaSinica, ,167305(2015) DOI: 10.7498/aps.64.167305 在线阅读Viewonline: /10.7498/aps.64.167305 当期内容Viewtableofcontents: /CN/Y2015/V64/I16 您可能感兴趣的其他文章 Articles youmaybeinterestedin 高k栅介质GeOI金属氧化物半导体场效应管阈值电压和亚阈斜率模型及其器件结构设计 Modelsonthresholdvoltage/subthresholdswingandstructuraldesignofhigh-kgatedielectricGeOIMOS- FET 物理学报.2014,63(8): 087301 /10.7498/aps.63.087301 柔性有机非易失性场效应晶体管存储器的研究进展 Progressofflexibleorganicnon-volatilememoryfield-effecttransistors 物理学报.2014,63(2): 027302 /10.7498/aps.63.027302 功率MOSFET 的负偏置温度不稳定性效应中的平衡现象 Flat-roof of dynamic equilibrium phenomenon in static negative biase temperature instability effect on powermetal-oxide-semiconductorfield-effecttransistor 物理学报.2013,62(16): 167305 /10.7498/aps.62.167305 氮氟复合注入对注氧隔离SOI材料埋氧层内固定正电荷密度的影响 Effect of co-implantation of nitrogen and fluorine on the fixed positive charge density of the buried oxide layerinSIMOXSOImaterials 物理学报.2013,62(11): 117303 /10.7498/aps.62.117303 柔性有机场效应晶体管研究进展 Theprogressofflexibleorganicfield-effecttransistors 物理学报.2013,62(4): 047301 /10.7498/aps.62.047301 物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 64, No. 16 (2015) 167305 超短沟道绝缘层上硅平面场效应晶体管中热 载流子注入应力导致的退化对沟道长度的依赖性 刘畅 卢继武 吴汪然 唐晓雨 张睿 俞文杰 王曦 赵毅 1) (南京大学电子科学与工程学院, 南京 210093) 2)(浙江大学信息与电子工程学系, 杭州 310027) 3)(中国科学院上海信息技术与微系统研究所, 上海 200050) 4)(浙江大学硅材料国家重点实验室, 杭州 310027) ( 2015 年2 月5 日收到; 2015 年4 月23