金红石TiO2单晶体的生长研究.pdf

第2 5卷第10 期 东 北 大 学 学 报 ( 自 然 科 学 版 ) Vol 25 ,No . 10 2 0 0 4 年 10 月 Journal of Nort heastern U niver sity (N at ural Science) Oct . 2 0 0 4 文章编号 : (2004) ( ) 单晶体的生长研究 金红石 TiO2 1 1 2 1 毕孝国 , 修稚萌 , 马伟民 , 孙旭东 ( 1. 东北大学 材料与冶金学院 , 辽宁 沈阳　110004 ; 2 . 沈阳大学 基础教学部 , 辽宁 沈阳　11004 1) 摘 　　　要 : 通过对比晶体在不同气氛中生长与退火的结果 ,研究了焰熔法生长金红石单晶体的 工艺条件 结果表明:炉膛气氛是决定晶体能否形成的关键因素 ,在合适的气氛条件下 , 晶体易于 · ( ) 生长 ,生长速度范围较宽 ,可以长成较大尺寸的单晶体 ,否则 ,依赖调整 增加或降低 生长速度 ,不 ( ) 能形成完整的晶体 炉膛气氛中的氧分压大于液固界面 即生长界面 处熔体的氧离解压是生长完 · 整晶体的前提条件 ; 晶体在退火过程中消除热应力 ,但更重要的是氧化反应 ,消除氧空位 ,在氧气 ( ) 氛中退火 ,可明显缩短退火时间 ,并能获得呈透明状 ,微有浅黄色 金红石本色 的金红石单晶体 · 关 　键 　词 : 金红石 ; TiO2 ; 晶体生长 ;焰熔法 ;vernuil ;摇摆曲线 中图分类号 : TN 204 　　　文献标识码 : A 近年来 ,围绕制备金红石单晶体开展了一系 生长速度下 ,晶体生长结果如图2 所示 · 列研究工作[ 1～9 ] 本文在前期研究的基础上 ,对 · 比晶体在不同气氛中生长和退火结果 ,详细报道 了焰熔法生长金红石单晶体的工艺条件 本实验 · ( ) ( ) 以高纯 4N 5 、超细的金红石 TiO2 粉末为起始 原料 , 在焰熔法生长炉 中生长 晶体 采用氢气 · ( ) ( ) H2 和氧气 O2 作为燃料气体 ,定义了所供氢气 φ φ 流量与氧气流量之比这一参数 , 即氢氧比: = V ( H2) / V (O2 ) ,用以表征气氛中氧的含量 · 图 1 　氢氧比、氧分压及液固界面处的温度关系曲线 1 　实 　　验 Fig. 1 　Relation curve among ratio of hydrogen to oxygen ,oxygen p artial pressure and