全控型电力电子器件.pdf

第4章 全控型电力电子器件 第4章 全控型电力电子器件 4.1 门极可关断晶闸管(GTO) 4.2 大功率晶体管（GTR） 4.3 功率场效应晶体管 4.4 绝缘栅双极型晶体管 4.5 其它新型电力电子器件 习题及思考题 第4章 全控型电力电子器件 4.1 门极可关断晶闸管(GTO) 门极可关断晶闸管 (Gate Turn Off thyristor)简称 GTO。 它具有普通晶闸管的全部特性，如耐压高（工作电 压可高达6000 V）、电流大（电流可达6000 A)以及造价便 宜等；同时它又具有门极正脉冲信号触发导通、门极负脉 冲信号触发关断的特性，而在它的内部有电子和空穴两种 载流子参与导电，所以它属于全控型双极型器件。它的电 气符号如图4-1所示，有阳极A、 阴极K和门极G三个电极。 第4章 全控型电力电子器件 A ＋ G K 图4-1 GTO的电气符号 第4章 全控型电力电子器件 4.1.1 GTO的基本工作原理 　 GTO的工作原理与普通晶闸管相似，其结构也可以等效 看成是由PNP与NPN两个晶体管组成的反馈电路。两个等效晶 体管的电流放大倍数分别为 α 和 α 。GTO触发导通的条件 1 2 是：当它的阳极与阴极之间承受正向电压，门极加正脉冲信 号（门极为正， 阴极为负）时，可使 α+ α ＞１，从而在 1 2 其内部形成电流正反馈，使两个等效晶体管接近临界饱和导 通状态。 第4章 全控型电力电子器件 导通后的管压降比较大，一般为2～3 V。只要在GTO 的门极加负脉冲信号，即可将其关断。当GTO的门极加负 脉冲信号（门极为负，阴极为正）时，门极出现反向电 流，此反向电流将GTO的门极电流抽出，使其电流减小， α和 α也同时下降， 以致无法维持正反馈，从而使GTO 1 2 关断。因此， GTO采取了特殊工艺，使管子导通后处于接 近临界饱和状态。 由于普通晶闸管导通时处于深度饱和 状态，用门极抽出电流无法使其关断，而GTO处于临界饱 和状态，因此可用门极负脉冲信号破坏临界状态使其关 断。 第4章 全控型电力电子器件 由于GTO门极可关断，关断时，可在阳极电流下降 的同时再施加逐步上升的电压，不像普通晶闸管关断 时是在阳极电流等于零后才能施加电压的。因此，GTO 关断期间功耗较大。另外，因为导通压降较大，门极 触发电流较大，所以GTO的导通功耗与门极功耗均较普 通晶闸管大。 第4章 全控型电力电子器件 4.1.2 GTO的特定参数 1． 最大可关断阳极电流IATO GTO的最大阳极电流除了受发热温升限制外，还会由 于管子阳极电流I 过大使 α+ α 稍大于1的临界导通条件 A 1 2 被破坏， 管子饱和加深，导致门极关断失败，因此，GTO 必须规定一个最大可关断阳极电流IATO ，也就是管子的铭牌 电流。I 与管子电压上升率、工作频率、反向门极电流峰 ATO 值和缓冲电路参数有关， 在使用中应予以注意。 第4章 全控型电力电子器件 2． 关断增益 β q 这个参数是用来描述GTO关断能力的。关断增益 β为最