单晶矽及多晶矽太阳能电池.PPT

第六章　化合物半導體III_V 族太陽能電池 * 196 圖6-17 代表性有機金屬氣相磊晶技術 第六章　化合物半導體III_V 族太陽能電池 * 單層磊晶砷化鎵型的太陽能電池 1. 液相磊晶成長的砷化鎵型太陽能電池 2. 有機金屬氣相磊晶成長的砷化鎵型太陽能電池 3. 分子束磊晶成長的砷化鎵型太陽能電池 又稱之為有機金屬氣相磊晶法 (Metal Organic Vapor Phase Epitaxy, MOVPE)。事實上，磊晶形成技術的種類，因其原材料的形態，而可分為液相磊晶法 (Liquid Phase Epitaxy, LPE)、分子束磊晶法 (Molecular Beam Epitaxy, MBE)、以及氣相磊晶法 (Vapor Phase Epitaxy, VPE) 等三種，其中以氣相磊晶法為主要的量產型技術。 194 第六章　化合物半導體III_V 族太陽能電池 * 圖6-18 分子束磊晶成長系統的基本結構 198 第六章　化合物半導體III_V 族太陽能電池 * 199 分子束磊晶成長技術的特性，分別地有： 超高真空製程技術； 易於控制的真空蒸發技術； 低成長溫度的製程； 低的晶體成長速率； 可控制的成長速率 ( 動力學的 )； 均勻的薄膜厚度； 均質性摻雜物分布； 單原子而尖銳性的界面； 臨場性 (In-Situ) 潔淨製程； 臨場性分析技術。 第六章　化合物半導體III_V 族太陽能電池 * 201 6-3-3氮化鎵型太陽能電池的製程技術 圖6-19金屬化學氣相沉積成長系統的基本結構 第六章　化合物半導體III_V 族太陽能電池 * 200 金屬化學氣相沉積成長技術的特性，分別地有： 　超高真空製程技術。 　易於控制的真空蒸發技術。 　高成長溫度的製程。 　低的晶體成長速率。 　可控制的成長速率。 　均勻的薄膜厚度。 　均質性摻雜物分布。 　單原子而尖銳性的界面。 第六章　化合物半導體III_V 族太陽能電池 * 202 圖6-20 代表性薄膜特性分析技術的種類及其分類 第六章　化合物半導體III_V 族太陽能電池 第六章　化合物半導體III_V 族太陽能電池 第六章　化合物半導體III_V 族太陽能電池 * Chapter 6　化合物半導體III-V族太陽能電池　 6-1 化合物半導體III-V族太陽能電池的 發展及其演進 6-2 化合物半導體III-V族太陽能電池的 基本結構及其特性 6-3 化合物半導體III-V族太陽能電池的 製程技術 第六章　化合物半導體III_V 族太陽能電池 * 內容大綱 本章節將討論以及探討的內容，主要是： 化合物半導體III-V族太陽能電池的發展及其演進 化合物半導體III-V族太陽能電池的基本結構及其特性 化合物半導體III-V族太陽能電池的製程技術等三大部分 172 第六章　化合物半導體III_V 族太陽能電池 * 6-1 化合物半導體III-V族太陽能電池的發展 III-V族化合物半導體，是發光二極體元件製作的主要材料；然而，它亦是太陽能電池元件的主要材料之一，其中又以砷化鎵化合物為三五 (III-V) 族化合物半導體的代表性材料。 太陽能電池的基本原理則是「光電效應 (Opto-Electro Effect)」，亦就是照射太陽光的能量而使其產生電能的一種物理現象。 　　事實上，太陽能電池元件是諸多二極體元件中的一種，它不能發光而能夠發電，故又稱之為「光伏特二極體元件 (Photovoltaic Diode, PVD)」或「光伏特電池 (Photovoltaic Cell, PVC)」。 172 第六章　化合物半導體III_V 族太陽能電池 * 6-2化合物半導體III-V族太陽能電池的基本結構及其特性 174 圖6-1 (a) 纖鋅礦的晶體結構；(b) 閃鋅礦的晶體結構 第六章　化合物半導體III_V 族太陽能電池 * 大部分III-V族化合物半導體，是屬於直接能隙遷移型半導體，其能量與動量的轉移過程僅需要光子 (Photon) 的釋出而已，如圖6-2(a) 所示 在間接能隙遷移型半導體方面，其能量與動量的轉移過程不僅僅是光子的釋出，而且其晶體的晶格熱振動將產生動量的變化，進而衍生出聲子 (Phonon) 的遷移效應，如圖6-2(b) 所示 175 第六章　化合物半導體III_V 族太陽能電池 * 175 圖6-2 (a) 直接能隙遷移型半導；(b) 間接能隙遷移型半導體能量與動量的轉移過程 第六章　化合物半導體III_V 族太陽能電池 * 6-2-1 砷化鎵型太陽能電池 (GaAs-Based Solar Cell) 的結構及其特性 176 圖6-3 代表性砷化鎵型太陽能電池元件的基本結構