主要研究工作集中在氮化镓功率器件-南方科技大学.PDF

化梦媛--助理教授 化梦媛博士，主要研究工作集中在氮化镓功率器件，包括器件工艺与制备，材料表征， 器件物理分析和可靠性、稳定性研究。课题负责人在国际主流会议（如 IEDM ，ISPSD 等） 和高水平期刊（IEEE EDL ， IEEE TED 等）发表论文 40 余篇。化梦媛博士自 2018 年 9 月 起加入南方科技大学电子与电气工程系担任助理教授，研究课题将继续集中在新一代宽禁带 半导体器件。 教育经历  2013-2017 ：香港科技大学，电子与计算机工程系，博士学位  2009-2013 ：清华大学，数学物理基础科学班，学士学位 工作经历  2018.09-至今：南方科技大学，助理教授  2017.09-2018.09 ：香港科技大学，电子与计算机工程系，博士后 研究简介  宽禁带半导体器件  氮化镓电力电子器件  半导体器件工艺和制备  半导体器件物理及仿真  可靠性、稳定性研究 研究领域 ：  宽禁带半导体器件 所获荣誉  2017 年，最佳青年学术奖，IEEE 代表文章  M. Hua,J. Wei, Q. Bao, Z. Zhang, J. He, Z. Zheng, J. Lei, and K. J. Chen, Reverse-Bias Stability and Reliability of Hole-Barrier-Free E-mode LPCVD-SiNx/GaN MIS-FETs, 2017 Int. Electron Device Meeting (IEDM 2017),San Francisco, CA, USA, Dec. 2-6, 2017.  M. Hua, Z. Zhang, J. Wei, J. Lei, G. Tang, K. Fu, Y. Cai, B. Zhang, and K. J. Chen, Integration of LPCVD-SiNxGate Dielectric with Recessed-gate E-mode GaN MIS-FETs: Toward High Performance, High Stability and Long TDDB Lifetime, 2016 Int. Electron Device Meeting (IEDM 2016), San Francisco, CA, USA, Dec. 5-7, 2016.  M. Hua, Z. Zhang, Q. Qian, J. Wei, Q. Bao, G. Tang, and K. J. Chen, High-performance Fully-recessed Enhancement-mode GaN MIS-FETs with Crystalline Oxide Interlayer, 2017 Int. Symp. On Power Semiconductor Devices and ICs(ISPSD’17), Charitat Award,Sapporo, Japan, May 28-June 1, 2017.  M. Hua, J. Wei, Q. Bao, Z. Zhang, Z. Zheng, and K. J. Chen, Dependence of VTHStability on Gate-Bias under Reverse-Bias Stress in E-mode GaN MIS-FET,IEEE Elec. Dev. Lett., vol. 39, no. 3, pp. 413–416, Jan. 2018.  M. Hua, J. Wei, G. Tang, Z. Zhang, X. Cai, N. Wang, and K. J. Chen, Normally-off LPCVD-SiNx/GaN MIS-FET with Crystalline Oxidation Interlayer,IEEE Elec. Dev. Lett., vol. 38, no. 7, pp. 929–932, Jul. 2