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近距离升华沉积CdTe掺Cd薄膜的微结构和电学光学特性-物理学报
第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报
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近距离升华沉积 掺 薄膜的微结构和
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电学、光学特性
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李 茜 郑毓峰 周向玲 孙言飞 简基康
!）（新疆大学物理科学与技术学院，乌鲁木齐 $%’( ）
# ）（新疆喀什师范学院物理系，喀什 $’’ ）
（ 年 月 日收到； 年 月 日收到修改稿）
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采用近距离升华技术制备了掺杂 元素的 多晶薄膜 利用 射线衍射仪和扫描电子显微镜表征其微结
+, +,-. / 0
构，用霍尔效应测试仪和紫外可见分光光度计分析其电学、光学特性 结果显示，适量的掺杂 元素可改善
/ +, +,-.
薄膜晶形，显著提高薄膜的电导特性，由弱的 型电导转变为导电性能良好的 型电导，但对光能隙影响不大
1 2 /
关键词：近距离升华， 薄膜，掺杂 ，电学和光学特性
+,-. +,
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分属于 型掺杂，掺杂后仍为 型电导；而且掺杂工
1 1
!B 引 言 艺相对比较复杂，所采用的离子注入法、电沉积法、
溶液浸泡法等均需要制膜—掺杂—后处理三个工艺
7 族半导体材料 +,-.，由于其在光伏器件 流程，且对实验仪器及参数的选择和控制要求较高/
!
中具有广泛的应用而颇受关注/ +,-. 具有直接跃迁 如果我们对 掺杂 或 元素则属于自掺杂
+,-. +, -.
型禁带，其禁带
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