第八章分布反馈、量子阱和垂直腔面发射激光器.docVIP

第八章 分布反馈、量子阱和垂直腔面发射激光器 1. 名词解释：超晶格、I 型超晶格和II 型超晶格、组分超晶格、掺杂超晶格、量子阱、量子线、量子点； 超晶格：两种半导体材料交替生长的薄层组成一维周期结构，每层厚度足够薄，以至于其厚度小于电子在该材料中德布罗意波长。 一型超晶格：由于的不同，可将两种半导体薄层构成超晶格或量子阱的Ⅰ型和Ⅱ型结构。Ⅰ型超晶格结构如下图1，满足：，，。Ⅱ型超晶格结构如下图2，满足：，，。 图1.1 I型超晶格示意图 图1.2 II型超晶格示意图 组分超晶格：利用周期性改变薄层半导体组分而形成的超晶格，如Ga1-xAlxAs/GaAs。 掺杂超晶格：利用周期性改变组分相同的半导体各薄层中的掺杂类型而形成的超晶格。 量子阱：与超晶格结构类似，但周期数有限，如果限制势阱的势垒厚度足够厚，大于德布罗意波长，那么不同势阱中的波函数不再交叠，势阱中的电子的能级状态变为分立状态，这种结构称为量子阱。 量子线：其让导带电子、价带空穴及激子受到二维限制，只有一维自由度，载流子限制在了线状势阱中。 量子点：其让载流子受到三维限制，有零维自由度，载流子限制在箱状势阱中。 2. DFB激光器与F-P腔激光器在原理、结构和性能上有何差别？ 结构： 对于普通的F-P腔激光器，结构上主要依赖于一对平行的解理面形成光腔，进而用以光反馈放大使激光产生；D