电科03级半导体物理A卷答案.DOC

电科03级半导体物理B卷答案 一、填空题： 1、直接；2、深，浅；3、P；4、非平衡；5、爱因斯坦；6、硅，锗，砷化镓；7、金刚石；8、电子、空穴；9、公有化；10、合金，扩散 二、单项选择题： 1、A 2、A 3、C 4、B 5、A 6、A 7、C 8、B 9、B 10、B 三、判断题： 1、对 2、错 3、对 4、错 5、对 四、简答题： 1、答：答：施主杂质：磷P，砷As，锑Sb； 受主杂质：硼B，铝Al，镓Ga，铟In 2、答：电导率σ= nqμn+pqμp，由载流子浓度和迁移率决定。 （2分） 掺杂改变载流子浓度n或p； （1分） 温度改变可以引起载流子浓度的变化，当杂质完全电离时载流子浓度不随温度变化，则主要是改变迁移率，温度升高晶格散射增强，迁移率μn或μp下降； （2分） 光照引入非平衡载流子，使载流子浓度n=n0+△p,引入附加光电导。（1分） 3、答： 4答：加正向电压时，外电场的方向与内电场方向相反。外电场削弱内电场，势垒区变窄，扩散运动＞漂移运动，多子扩散形成扩散电流。 （3分） 加反向电压时，外电场的方向与内电场方向相同，外电场加强内电场，势垒区变宽，漂移运动＞扩散运动，少子漂移形成反向电流I R。在室温下，少子浓度一定且很低，故IR很小且基本上与外加反压的大小无关，所以称为反向饱和电流。 （3分） 五、综合题 1、答： a. 样品1为p型半导体，样品2为n型半导体；（4分） b.c. 见下图，其中Ec为导电底，Ev为价带顶，Ei为禁带中央，EF1、EF2、分别为二种样品的费米能级，EA1、ED2为样品1和样品2的杂质能级。 （共8分，每画对一个得2分，画错不得分，可分别画，不一定在一幅图中，但相对关系要正确。） 2、解：由于假定硅室温下杂质全部电离，由已知条件得：ND ni 所以ni可以忽略不计。 依题意：全部电离时电中性条件为： 故： 变换后得： （3分） 计算各浓度下的值 （4分） 当时， 当时， 当时， (2) 核对假设是否成立 （4分） 由于△ED=0.05eV 所以： 当时，=0.995 当时，=0.675 当时，=0.17 （3）对比分析 (3分) 当时，假设成立，电离度90% 当时，假设不成立 当时，假设不成立