坩埚下降法生长红外砷化镓晶体的研究-应用技术学报-上海应用技术.PDF

第 卷 第 期 应 用 技 术 学 报 　 １７ １ 　 　 　 　 　 Vol．１７No．１　 年 月 JOURNALOFTECHNOLOGY 　２０１７ ３ Mar．２０１７　 文章编号: ( ) : / 　　 ２０９６Ｇ３４２４２０１７０１Ｇ００１０Ｇ０５ DOI１０．３９６９ ．issn．２０９６Ｇ３４２４．２０１７．０１．００３ j 坩埚下降法生长红外砷化镓晶体的研究 １ ２ ２ ２ ３ ３ 金 敏 , 徐家跃 , 范世骥 , 申 慧 , 何庆波 , 谈慧祖 　 　 　 　 　 　 　 ( , ; １．中国科学院 宁波材料技术与工程研究所 浙江 宁波 ３１５２０１２．上海应用技术大学 材料科学与 , ; , ) 工程学院 上海 ２０１４１８３．昆山鼎晶镓业晶体材料有限公司 江苏 昆山 ２１５３００ : , , / 摘 要 利用坩埚下降法生长红外砷化镓晶体 坩埚下降炉控温 晶体以 速度 　 １２６０℃ ２．５mm h / 、 在温度梯度为１０℃ cm的条件下结晶生长．PBN坩埚外壁黏附有气相自发成核 尺寸为 １~３mm , 的砷化镓单晶颗粒 生长的砷化镓晶体直径约 总长约 晶体头部放肩阶段存在异 ． ５０．８mm １４０mm． , , 相成核 尾部出现多晶截断后获得的砷化镓单晶长约 成晶率达 砷化镓单晶结晶质 ． １００mm ７０％． －２ －２ ７ , , 量良好 头尾平均位错密度分别为 和 电阻率达 量级 砷化镓单晶 ８６８cm １４３６cm １０Ω cm ． , 整体红外透过率约为 接近最高理论透过率 满足工业界使用要求 ５５％ ５５．８％． ． :