第9章 淀信积aa制是安定.ppt

第九章 薄膜淀积 9.1 薄膜淀积 淀积的氮化硅作为阻挡保护层 9.1.2 薄膜特性 在硅片加工中可以接受的膜必须具备需要的膜特性。为了满足器件性能的要求，可以接受的膜一般应具有如下特性： （1）膜对台阶的覆盖 图形制作在硅片表面生成三维的拓扑形状，这就形成了硅片表面的台阶和沟槽。如果淀积的膜在台阶上过度的变薄，就容易导致过高的膜应力，电短路或者在器件中产生步希望的诱生电荷。 膜应力要尽可能的小，因为应力会导致衬底发生凸起或凹陷的变形。 所有的淀积技术都会在膜中产生应力 膜对台阶的覆盖 （2）高的深宽比间隙 深宽比用来描述硅片上图形间隙的形貌，深宽比定义为间隙的深度和宽度的比值。 对于亚0.25um尺寸的器件工艺，填充硅片表面上很小的间隙和孔的能力就成为最重要的薄膜工艺特性，例如穿过层间介质(ILD)的通孔（Via），以及浅槽隔离(STI)的槽。 高深宽比典型值大于3:1。高深宽比的间隙使得难于淀积形成厚度均匀的膜，并且容易产生夹断（pinch-off）和空洞。 高深宽比的间隙 膜淀积的深宽比 （3） 厚度均匀性 薄膜要求具有均匀的厚度。因为材料的电阻会随薄膜厚度的变化而变化，同时，膜层越薄，缺陷就越多，如针孔等，这会导致膜本身的机械强度降低。 不均匀的薄膜在光刻中的影响也很大，导致侧壁倾斜，粗糙和曝光不均匀等。