关于单片机的电子工艺实习报告.docVIP

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关于单片机的电子工艺实习报告

电子工艺实习总结报告 姓名: 专业: 机械电子工程 班级: 机电102 学号: 指导教师: 成绩: 一、实习目的与要求 1、切实培养单片机应用系统的实践设计开发能力:采用软件仿真与硬件仿真手段,培养理论联系实际的能力,借助实训项目的学习与实作,巩固理论知识,提高实作能力及系统的开发设计能力。 2、培养自主学习的能力:通过实训发现理论学习的不足,借助仿真软件,自主学习抽象的理论概念,切实打下坚实的基础。 二、实习内容 本次电子工艺实习主要是进行单片机电路的焊接与调试。 1是焊接工艺的练习,对焊接技术进行了操作与提高。 2进行了贴片电阻焊接的练习。 3在PCB空板上进行焊接,主要包括贴片电阻、电容、发光二极管、贴片寄存器等一些管脚较多的器件的焊接。 4对所焊接的单片机系统进行程序下载后,对其实现功能进行了检测。 三、单片机开发板原理及各部分功能说明 单片机有很多的特点,主要表现在:体积小、功耗低、价格廉、控制功能强、应用现场环境恶劣等等。 51单片机开发板原理图: 51单片机开发板原理图 本设计核心采用了STC89C52单片机。 STC89C52RC引脚功能说明 图 1 STC89C52RC引脚图 VCC(40引脚):电源电压 VSS(20引脚):接地 P0端口(P0.0~P0.7,39~32引脚):P0口是一个漏极开路的8位双向I/O口。作为输出端口,每个引脚能驱动8个TTL负载,对端口P0写入“1”时,可以作为高阻抗输入。在访问外部程序和数据存储器时,P0口也可以提供低8位地址和8位数据的复用总线。此时,P0口内部上拉电阻有效。在Flash ROM编程时,P0端口接收指令字节;而在校验程序时,则输出指令字节。验证时,要求外接上拉电阻。 P1端口(P1.0~P1.7,1~8引脚):P1口是一个带内部上拉电阻的8位双向I/O口。P1的输出缓冲器可驱动(吸收或者输出电流方式)4个TTL输入。对端口写入1时,通过内部的上拉电阻把端口拉到高电位,这是可用作输入口。P1口作输入口使用时,因为有内部上拉电阻,那些被外部拉低的引脚会输出一个电流()。 此外,P1.0和P1.1还可以作为定时器/计数器2的外部技术输入(P1.0/T2)和定时器/计数器2的触发输入(P1.1/T2EX),具体参见下表: 在对Flash ROM编程和程序校验时,P1接收低8位地址。 P1.0和P1.1引脚复用功能 引脚号 功能特性 P1.0 T2(定时器/计数器2外部计数输入),时钟输出 P1.1 T2EX(定时器/计数器2捕获/重装触发和方向控制) P2端口(P2.0~P2.7,21~28引脚):P2口是一个带内部上拉电阻的8位双向I/O端口。P2的输出缓冲器可以驱动(吸收或输出电流方式)4个TTL输入。对端口写入1时,通过内部的上拉电阻把端口拉到高电平,这时可用作输入口。P2作为输入口使用时,因为有内部的上拉电阻,那些被外部信号拉低的引脚会输出一个电流()。 在访问外部程序存储器和16位地址的外部数据存储器(如执行“MOVX @DPTR”指令)时,P2送出高8位地址。在访问8位地址的外部数据存储器(如执行“MOVX @R1”指令)时,P2口引脚上的内容(就是专用寄存器(SFR)区中的P2寄存器的内容),在整个访问期间不会改变。 在对Flash ROM编程和程序校验期间,P2也接收高位地址和一些控制信号。 P3端口(P3.0~P3.7,10~17引脚):P3是一个带内部上拉电阻的8位双向I/O端口。P3的输出缓冲器可驱动(吸收或输出电流方式)4个TTL输入。对端口写入1时,通过内部的上拉电阻把端口拉到高电位,这时可用作输入口。P3做输入口使用时,因为有内部的上拉电阻,那些被外部信号拉低的引脚会输入一个电流()。 在对Flash ROM编程或程序校验时,P3还接收一些控制信号。 P3口除作为一般I/O口外,还有其他一些复用功能,如下表所示: P3口引脚复用功能 引脚号 复用功能 P3.0 RXD(串行输入口) P3.1 TXD(串行输出口) P3.2 (外部中断0) P3.3 (外部中断1) P3.4 T0(定时器0的外部输入) P3.5 T1(定时器1的外部输入) P3.6 (外部数据存储器写选通) P3.7 (外部数据存储器读选通) RST(9引脚):复位输入。当输入连续两个机器周期以上高电平时为有效,用来完成单片机单片机的复位

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