闸极介电材料与细胞膜在氧化镧之矽锗电晶体与生物细胞上-中华大学.PDFVIP

閘極介電材料與細胞膜在氧化鑭之矽鍺電晶體與生物細胞上的研究 研究生：吳建宏 指導教授：荊鳳德教授 謝 家教授 中華大學電機系電機研究所 摘要 我們已經發展出一個簡單方法形成高介電係數的氧化鑭閘極，就是沉積鑭薄 膜再直接熱氧化。由於應用低氧化溫度，減少氧化鑭厚度使介電質完整地改善。 從測量電容值，這 60 Å的氧化鑭有27的K值，它的等效氧化層厚度是8.7Å 。從 MOSFETs 的高電流驅動和轉移電導隨著低的off-state的電流進一步證據高介 電質的長遠性。它被發現與二氧化矽比起來有低應力引發的漏電流(SILC)和高電 荷崩潰，它被證實有極好可靠性。那低的等效氧化物厚度是由於在矽上的高熱力 o 穩定性以及用氫氣穩定的在550C以下退火。 同時我們也發展出成長磊晶矽鍺合金的新方法。這方法主要是藉由固相磊晶 法將沈積在矽基板上的無晶狀錯層在高溫下趨入並形成矽鍺磊晶層。我們發現晶 片表面殘存原生氧化層的存在與否對於矽鍺層的品質有重大的影響。為了評估此 矽鍺層應用於實際元件的可行性，我們做了以矽鍺為通道的電晶體。然而，這樣 的結果和以往的文獻記載並不相同，我們推測這樣的差異是因為此方法形成的矽 鍺層已是應力釋放過的材料。因此，並不會有應力在高溫氧化釋放造成缺陷的現 象。儘管如此,此矽鍺層氧化層仍會因錯原子累積在氧化層和矽鍺介面而造成其 i 介面缺陷密度稍高於傳統的二氧化矽。 因此我們也將結合上述成長閘極氧化層與矽鍺層的技巧，來應用於P 型電 晶體的通道,其展現了較好的電流,驅動力與次臨界特性。這項技術的優點不僅在 於其簡單,經濟,最重要的是它完全相容於現有的積體電路製程技術。 未來隨著元件尺寸的不斷縮小，閘極氧化層的厚度也必須隨之減少。原來 的閘極氧化層的厚度可能到一個臨界值，我們也正在研究以細胞為介電材料的可 行性而做了一系列的細胞與電場之間相關的研究。 ii Gate Dielectrics and Cell Membrane Studies for La2O3/ Si0.3Ge0.7 p-MOSFETs and Biologic Cells Student: C. H. Wu Advisor: Dr. Albert Chin Dr. I. J. Hsieh Abstract We have developed high K La O gate dielectrics by a simple process using 2 3 direct thermal oxidization of deposited La. The dielectric integrity improves as decreasing La O thickness because of the applied low oxidation temperature. 2 3 From the measured capacitance, the 60Å La O has a K value of 27 that has an 2 3 equivalent oxide thickness of 8.7Å. This high K is further evide