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* 4. * * 衬底和外延层的化学成分不相同是一种异质外延；化学成分相同但晶体结构不同也是一种异质外延； * * SiC之所以滞后Si和GaAs半导体材料，主要与其晶体生长难度太大有关； * 封闭的石墨坩埚，电阻加热器，保温系统，使坩埚处于高温非均匀热场中；SiC源置于高温热场，2500℃升华；低温区的坩埚壁处结晶成晶体； * 同轴双壁坩埚，结构复杂，籽晶较小； 单壁坩埚，结构简单，籽晶较大；目前常用； * 升华法生长SiC晶体的过程并不是一个简单的从固态物质升华为气态，再凝结为固态的简单相变过程； 高温下Si和C的饱和蒸汽压相差较大， * 6H SiC的C面 * * * * 加热方式：电阻式和感应式加热 升华法制备碳化硅晶体的两种加热方式 电阻式加热： 加热速率慢，设计比较复杂，实际使用起来容易坏，并且加热系统放置在生长室内，容易带来污染，但加热的均匀度高。 感应加热方式： 可直接利用坩锅从交变电磁场感应生热，省去额外的感应加热器，使热系统更加简单、高效 ；通过轴向移动坩埚或感应线圈改变二者的相对位置就可以改变坩锅内的温度分布以及源与生长表面间的温度梯度，实现对生长速率的控制；感应线圈置于生长室外，避免污染。 坩埚系统 材料：由于碳化硅生长温度高，为避免高温下的挥发物对晶体纯度的影响，坩埚及其周围绝热层只能使用石墨以及以石墨或碳为基础材料的制品。 坩埚的形状以及坩埚与线圈的相对位置决定了整个生长系统的温度分布，从而影响晶体生长和晶体的质量。 图5-19 典型的6H-SiC晶锭 2、生长原理 生长过程 （1）SiC粉源的分解——高温下Si和C的饱和蒸汽压相差较大 Si、Si2、Si3、SiC2、Si2C、Si2C3和Si3C等气相成分，其中以Si、SiC2和 Si2C为主要成分 。 在温度梯度和浓度梯度的驱使下，反应物质从粉源输运至晶体生长表面； 升华法生长SiC晶体的过程并不是一个简单的从固态物质升华为气态，再凝结为固态的简单相变过程； 主要工艺参数 控制碳化硅晶体生长速率和晶体品质的主要因素是温度，包括升华源的温度、晶体生长表面的温度以及二者之间的温度梯度。 生长气氛的总压力及其中各产物的分压也对晶体生长有重要影响。一般讲，气压越低，生长速率就越高。 3、结晶品质控制 1）晶格缺陷 缺陷密度高(＞105/cm2)是长期困扰SiC晶体生长技术研发人员的主要问题之一。除孪晶、位错之外，还有比较特殊的缺陷 ? 微管。 微管是一种沿着SiC晶体C-轴方向排列、传播、繁殖并贯穿整个SiC晶锭直径约为0.1-5μm的管状缺陷，一般垂直于6H-SiC 的Si面。另外衬底中的微管还会延伸到外延层中，垂直贯穿整个SiC器件。 微管的形成机理 ：一是基于Frank位错理论的空核位错模型，认为微管是一个超大的螺旋位错，其伯格斯矢量是C轴晶格常数的几倍；另外一种认为由热力学、动力学和生长工艺等多个因素导致微管的形成。 降低生长晶体的缺陷密度 培育低缺陷密度的籽晶； 抑制缺陷延伸与再生 在氩气氛下长时间高温（～2000℃）退火有可能令微管缩短直至消除； 生长开始前对籽晶的原位高温处理，借以清除表面损伤、修复籽晶表面； 保持热场的稳定和适当低的生长速率； 2）晶型保持与同质异构体抑制 SiC结构具有同质多型的特点，从生长热力学的角度，形成SiC不同的同质多型体的自由能非常接近，这就预示着实现可控确定多型结构的复杂性。 碳化硅晶体制备中一个非常重要而又难以很好掌握的结晶品质问题是同素异构体的生长控制。 温度一定时多种SiC不同的同质多型体均可形成，如6H-SiC、3C-SiC、4H-SiC、15R-SiC等。而事实上大量的实验结果也证明了这一点：在相同的结晶条件下，得到了不同的SiC同质多型体，（如6H-SiC、3C- SiC、4H- SiC ）； 在生长工艺参数变换很大的情况下得到了相同的同质多型体（如6H-SiC）； 在很宽的合成条件范围内典型的未发现简单同质多型体（如2H-SiC）。 SiC自发结晶过程中同素异构体产生率与温度的关系 影响晶型稳定的因素 （1）籽晶表面的极性和结构 （6H SiC的C面） （2）气相成分的Si/C比 在一定的条件下，热力学判据较弱时，晶体生长环境条件对晶体结构形成的影响比热力学条件大，富C环境容易导致六方结构的形成，使结构中六方百分比较大的多型体趋于稳定生长。因为在富C和富Si的环境下反应室内会发生不同的化学反应。 实验中发现如下规律：在高温、低超饱和度、小的Si/C比（或称富C环境）的条件下，4H-SiC容易在SiC衬底的C面上生长；在高温、低超饱和度、大的Si/C比（或称富Si环境）条件下，6H- SiC在衬底的Si面