阵列式碳纳米管膜的CVD法制备工艺及应用研究.pdf

第1章绪论 加压力超过强度极限或弯曲强度时，碳纳米管不会断裂，而是发生大角度弯曲， 当外力释放后碳纳米管又恢复原状。 由于碳纳米管自身具有优越的力学性能，将碳纳米管分散加入到其他材料 基底中，在基底材料承受载荷时，分散于基底中的碳纳米管起到网络效应，分 担基底所受载荷，便可以改善基底材料的力学性能。目前制备碳纳米管聚合物 复合材料的主要方法有原位聚合法、直接分散法、共混法、溶胶．凝胶法。 将在浓H，SO。和煳q混酸溶液中酸化处理后的碳纳米管，采用原位聚合 法，制备的碳纳米管／聚氨酯复合材料的弹性模量为14．22MPa，比聚氨酯材料的 弹性模量9．14MPa提高了56％【51。研究人员采用超声分散和真空浇铸制备了碳 纳米管／环氧树脂复合材料，来改善环氧树脂材料的力学性能，在碳纳米管含量 为0．75％时，复合材料的抗拉强度和弹性模量分别比纯环氧树脂提高了18．3％和 20．5％，断裂时的伸长率提高了92．8％【6J。 碳纳米管与金属材料复合，同样可以改善金属材料的力学性能。在氩气氛 围下，将镁合金ZM5加热融化，采用机械搅拌的方法将碳纳米管分散到镁合金‘ 中的方法制备的碳纳米管／镁合金复合材料的抗拉强度比基体材料提高了17．8％， 硬度比基体提高了20．6％，复合材料的延伸率也较基体材料有所提副川。 1．2．2电学性能 碳纳米管上碳原子的P电子为大范围的离域万键，因而共轭效应显著，具有 特殊的电学性质。常用矢量C。=na。+Ina2表示碳纳米管上碳原子的排列方向， a。和a：为两个基矢量，通常将C。简记为(1l，m)。沿n=m方向，碳纳米管表现良好 的导电性。如果给定的碳纳米管复合公式2n+m=3q，(q为整数)，则在这个方向 呈金属性，否则呈现出半导体性例。 碳纳米管表现出典型的量子限域效应，电子沿径向的运动受到限制，而电 子在轴向的运动受到限制，而且电子在碳纳米管上传输时不会产生热量。碳纳 米管具有较大的比表面积和孔结构，因而适合做超级电容器的电极材料。 直径20姗~40舳的碳纳米管经分散、纯化处理后，和泡沫镍经压力压制成 电极，以KOH为电解液，制得了比电容为60F／g的超级电容器19】。用碳纳米管 与导电聚合物的复合材料做超级电容器的电极材料也是近年来的研究热点。用 电沉积法在碳纳米管上均匀的修饰一层5衄厚的聚吡咯薄膜，作为电极材料的 电容器的比电容达到了172F儋【lo】，这说明碳纳米管复合材料是超级电容器的理 3 第1章绪论 想材料。 1．2．3场发射性能 碳纳米管具有纳米量级的尖端、很大的长径比，在电场作用下的场强增强 因子非常大，因而使其成为场致发射的理想阴极材料。研究表明，碳纳米管阴 极材料具有低开启电压和阈值电压、大电流密度、发射电流稳定性高、发光均 匀等优点。用碳纳米管制作场发射平板显示器(CNT-FED)的研究也是目前显示器 技术的研究热点。 采用单壁碳纳米管和银浆及有机粘结剂配置成浆料，通过丝网印刷工艺在 基底上印制碳纳米管浆料，然后加热去除粘结剂得到碳纳米管薄膜的方法制各 场发射显示器的阴极材料是目前常用的一种方法。1999年三星公司采用丝网印 刷法制作了三色二极结构的碳纳米管显示器，其开启场强为1~2V／眦【11】。2004 年Uemm等人制作了尺寸为580×112×9mm的动态字符显示器，在制作过程中 采用激光照射处理了碳纳米管，从而改善了场发射显示器发光均匀性并且降低 了驱动电压Il 21。西安交通大学朱长纯等人采用丝网印刷法研制出了120×160线 的14cm二极结构碳纳米管场发射显示器【13】，其功耗为3mW／mm2，像素点发 料的场发射平板显示器有可能成为下一代电子显示器件的主流。 利用碳纳米管的冷阴极电子发射制作的X射线管具有体积小、功耗低和图 像分辨率高等优点，目前用碳纳米管制作的X射线管性能已经超过了热阴极X 射线倒14J，但由于碳纳米管发射电子时对真空度要求较高，因而在限制了碳纳 米管X射线管在某些领域的应用。 1．2．4储氢性能 碳纳米管具有大比表面积和特殊的中空结构，其表面、单壁碳纳米管管束 间的间隙、多壁碳纳米管层与层之间的空隙均可吸附氢气，使其成为最有潜力 的储氢材料。与金属储氢材料相比，碳纳米管储氢材料达到饱和的速度很快， 不需像金属材料那样需多次循环才达到饱和。研究表明碳纳米管