传感器原理与应用_6_磁敏传感器.pptVIP

非接触式键盘开关 非重点 霍尔式汽车无触点点火装置 非重点 霍尔接近开关 非重点 5.2 霍尔传感器 Part.5 霍尔传感器实例电路分析 霍尔传感器 霍尔传感器是基于霍尔效应的一种传感器，是把磁学物理量转换成电信号的磁敏传感器。 发展历程 1879年，美国物理学家霍尔首先在金属材料中发现了霍尔效应，但由于金属材料的霍尔效应太弱而没有得到应用。 随着半导体技术的发展，开始使用半导体材料制成霍尔元件，由于它的霍尔效应显著而得到广泛应用和发展。 优点： 结构简单，体积小，坚固， 频率响应宽（从直流到微波），动态范围大（输出电动势变化）, 非接触、使用寿命长、可靠性高、易于微型化和集成化。 缺点： 转换率较低、温度影响大、要求转换精度较高时需要进行温度补偿。 霍尔效应 金属或半导体薄片置于磁感应强度为B的磁场中（若磁场垂直于薄片），当有电流I流经时（若I与B正交），在垂直于电流I和磁场B的方向上将产生电动势UH，这种物理现象称为霍尔效应。 把一个长度为L，宽度为b，厚度为d的导体或半导体薄片两端通以控制电流I，在薄片的垂直方向上施加磁感强度为B的磁场，在薄片的另外两侧将会产生一个与控制电流I和磁场强度B的乘积成比例的感应电动势UH。 左手 定律 并设其正电荷所受洛伦茨力方向为正，则电子所受的洛伦兹力可表示为： 霍尔电场作用于电子的力fE可表示为：