90mn后段铜互连制程相关可靠性的分析.pdfVIP

第一章引言 1．1课题背景 集成电路的发展一直沿着摩尔(Moore)定律(每3年芯片集成度增加4倍， 特征尺寸减小30％)高速发展。与国际半导体技术发展指南(ITRS)预计的一 样，到2004年，90rim制造工艺技术可以成功量产了。事实上，当芯片特征尺寸 接近100nm时，芯片制造的复杂性和难度很大，芯片的可靠性也变得越来越重 要和明显。 90nm制造工艺早在2003年1月就已开发成功，但是直到2004年才真正实 现量产，距离上一个技术节点已有3年，改变了20世纪90年代中期集成电路技 术每24个月出现一个技术节点的发展趋势。90nm制造工艺和130nm工艺相比， 绝不仅仅是简单地将连线宽度减少了40nm，而是集成电路制造工艺上一个质的 飞跃。因此在向90nm进化过程中遇到的困难也远远高于以前的技术升级，然而， 这也为顺利向65nm技术节点发展打下了良好的技术基础。在90nm制造工艺中， 采用多项新技术和新工艺。其中应变硅(Strained on insulator)、铜互连技术、低K介电材料的引入等是主要特点。 ⅢrrLr--／／atfPaa●Tr,ad 图1-12003年国际组织ITRS预计的最小尺寸的趋势图 按照摩尔定律，半导体器件的特征尺寸会等比率减小。随着半导体器件的尺 寸减小，在一定的硅芯片上，可以集成跟多的芯片即芯片的集成度会大大增加。 芯片的性能可以大大提高。 4 图卜2不同时期在相同的芯片尺寸上的晶体管的数量和尺寸变化 图卜3晶体管的数量也按照摩尔定律在发展和增加(资料来源：Intel) 半导体器件尺寸的减小可以提高单个器件的速度，但是随着半导体产品尺寸 的减小，和集成度的提高，集成电路的后段互连线会大大增加，由互连线引起的 寄生效应对集成电路的速度的影响变得越来越重要。它们不再是原来的“二等公 民”。他们已经开始支配集成电路一些相关的特性指标，如速度、功耗和可靠性。 特别是集成电路的后端互连的层数也越来越多，现在有的芯片的后端互连有十层 之多。因此仔细分析和研究半导体工艺互连线的作用和特性不仅是人们所希望 的，也是极为重要的。 IG chipperformance todomlnat挎 —S}gna担ttVOUg帆BEOL,怕g,ns IhooverallinIhe IC deIay O．25胛node 刀 薯 秘 野 薯 【撕■一●J钟 黟。 侣 心、 J ≮翩 1《 ‘一／，临?≯ 5 也到1K：： 《一ro／ 袅概 ¨ r‘—■～ 1一一 -一一 O 椭辨|{k曩如妒锕憎 E-d61slein一甜。IEO榭，∞7 图1-4在互连线上延迟随着半导体技术的发展变得越来越明显 互连线是由金属线和绝缘层构成。因此这些材料就会存在电阻，电容和电感 这些参数。上下金属线加上中间的绝缘层构成了一个电容。它与金属线的宽度、 长度以及金属线之间的距离即绝缘层的厚度和绝缘层的介电常数相关。如图所 示： l I c=2(C+￡)=2k岛L