第5章半导体中辐射和吸收1.pdfVIP

第五章第五章 半导体中的半导体中的光辐射和光吸收光辐射和光吸收 5.1 辐射复合和非辐射复合 5.1.15.1.1 辐射复合辐射复合 5.1.2 非辐射复合 5.2 光辐射和光吸收的关系 5.2.1 光辐射和光吸吸收的基本概念念 5.2.2 黑体辐射普朗克黑体辐射定律 5.2.3 爱因斯坦关系式 5.2.4 半导体中受激辐射的必要条件 5.2.5 净受激发射的速率 5.2.6 两个能级间的光吸收系数 5.3 跃迁几率 5.3.1 费米黄金准则 5.3.2 矩阵元 5.4 半导体中的态密度 5.5 半导体中的光吸收和光发射 5.5.1 吸收系数 5.5.2 自发辐射和受激辐射速率 55.66 半半导体中的中的光增益 1 激光的三个基本要素 激光的三个基本要素 Stripe contact ~150μm Emitting spot 产生激光的物质 Dielectric (oxide) ~0.5μm 粒子数反转 hheterojunctionseterojunctions 谐振腔 ~250μm 受激发射，光子同电子相互作用时，电子的能量发生变化，发 射出新的同样的光子。激光器必须满足的三个基本条件： 11，能产生激光的物质能产生激光的物质 ：：具有具有一定的能级或能带结构定的能级或能带结构、、载流子载流子 复合速率等特性，为受激发射提供物质基础。 2，粒子数反转 ：粒子由低能态抽运至高能态，并且高能态中 的粒子数远远大于该温度下平衡态时的粒子数的粒子数远远大于该温度下平衡态时的粒子数，出现反转出现反转。 3，谐振腔 ：正反馈使其获得足够大的增益，克服内部和端面 的损耗，产生激光振荡。谐振腔为受激发射的光子选择模 式和进行光放大式和进行光放大。 2 55.11 辐射复合和非辐射复合辐射复合和非辐射复合 图5.1 电子在能级间的跃迁 (a)(a)受激吸收受激吸收、(b)(b)受激发射受激发射、(c)(c) 自发发射自发发射、(d)(d)发热等发热等。 图图55.22 电子在半导体能带间的跃迁电子在半导体能带间的跃迁 3 55. 11.11 辐射复合辐射复合 1. 带间复合 导带底的电子向下跃迁，同价带顶的空穴复合， 便产生一个光子 hchc h E