- 1、本文档共109页,可阅读全部内容。
- 2、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。
- 3、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载。
- 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
查看更多
第三章 存储系统
1
§3.1 存储系统概述
一、存储器分类
1、按存储介质分类
对存储介质的要求—有区别明显的两个物理状态(表示0/1)
*半导体存储器:a)易失性型,如内存,
b)永久性型,如EPROM;
*磁性材料存储器:如磁盘、磁带; 永久性型
*光介质存储器:如光盘。
2、按读写功能分类
*读写存储器RWM:如内存、磁盘、磁带等;
*只读存储器ROM:如只读光盘、掩膜ROM等。
2
回下页
3、按存取方式分类
*顺序存取存储器SAM:如磁带
按记录块为单元进行编址,
存取时间与读/写头到记录块的相对位置有关;
*随机存取存储器RAM:如内存
按存储字为单元进行编址,存取时间与地址无关;
*直接存取存储器DAM:如硬盘
信息存取区域选取与RAM类似,区域内操作与SAM类似。
4、按存储器在计算机中的作用分类
*主存储器MM:又称内存,MOS型半导体+RAM+RWM及ROM;
*高速缓冲存储器Cache:TTL/MOS型半导体+RAM+RWM;
*控制存储器CM:永久型+RAM+ROM;
*外存储器EM:磁性/光介质材料+SAM/DAM+RWM。
3
转上页
二、主存储器的主要性能指标
1、CPU对主存储器的访问过程
按冯·诺依曼模型要求,CPU对主存储器按地址进行访问。
*读操作过程:①CPU给出地址及读信号;
②在MM“完成”时,CPU接收数据信号。
*写操作过程:①CPU给出地址、写信号,以及数据信号;
②在MM“完成”时,CPU得知操作结束。
CPU 作 操 读 命令
MAR MDR 地址
数据
读/写 CPU 时间
地址总线AB 作 操 写 命令
数据总线DB 地址
控制总线CB
状态 数据
线 总 M 线 总
E
M
应 响
主存储器MM
文档评论(0)