氖杂质注入条件下CFETR芯部钨杂质浓度的模拟研究.PDF

第41 卷 第1 期 核 技 术 Vol.41, No.1 2018 年1 月 NUCLEAR TECHNIQUES January 2018 氖杂质注入条件下CFETR 芯部钨杂质浓度 的模拟研究 1 1 1 1 1 2 吴 樑 徐国梁 周一夫 张传家 毛世峰 罗正平 2 2 1 郭 勇 彭学兵 叶民友 1 （中国科学技术大学核科学技术学院 合肥 230026 ） 2 （中国科学院等离子体物理研究所 合肥 230031 ） 摘要 由于低质量数材料不可接受的高腐蚀率以及氚共沉积的问题，未来聚变堆中更希望使用全钨壁。由于钨 −5 在芯部的高辐射冷却率，芯部的钨杂质浓度需要限制在非常低的水平（约10 ）。中国聚变工程试验堆(China Fusion Engineering Test Reactor, CFETR)要求其高功率稳态运行，全钨壁是优先考虑的方案。为了估计全钨壁 CFETR 的芯部钨杂质浓度，用边界等离子体物理模拟软件SOLPS (Scrape-off Layer Plasma Simulation)对下单 零偏滤器位形不同氖气(Ne)辐射杂质注入速率下模拟得到边界等离子体背景，再利用蒙特卡罗杂质输运程序 DIVIMP (DIVertor and IMPurity)对钨杂质的输运进行了模拟。当Ne 注入速率较低、靶板温度仍然较高时，即 使仅考虑靶板为钨材料，芯部钨杂质浓度依然过高。当外靶板峰值温度降低至约10 eV 时，钨靶板对芯部钨杂 −4 的水平。 质浓度的贡献降至可接受的水平；但当包含主等离子体室壁的贡献时，芯部钨杂质浓度仍然达到10 因此当Ne 杂质注入速率较高时，过高的芯部钨杂质浓度主要来源于主等离子体室壁。未来的工作中需要进一 步关注钨壁对芯部钨杂质浓度的影响。 关键词 中国聚变工程试验堆，DIVIMP ，等离子体与壁相互作用，数值模拟，钨杂质输运 + 中图分类号 TL62 7 DOI: 10.11889/j.0253-3219.2018.hjs.41.010602 Simulation study of core W impurity concentration with Ne seeding for CFETR 1 1 1 1 1 2 WU Liang