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年第 期( )卷
０３１４８ ２０１５ ３ ４６
文章编号: ( )
１００１Ｇ９７３１２０１５０３Ｇ０３１４８Ｇ０５
３＋/ ３＋共掺杂 铁电厚膜的制备及其上转换发光∗
Yb Tm BST
１ ２ １
, ,
汪竞阳 章天金 屈少华
( , ; , )
１．湖北文理学院 物理与电子工程学院 湖北 襄阳 ４４１０５３２．湖北大学 材料科学与工程学院 武汉 ４３００６２
: ３＋/ ３＋ ,
摘 要 利用丝网印刷工艺制备出稀土 现代半导体加工工艺相兼容 所以采用厚膜基质材料
Yb Tm
, 、 特别适合加工制备厚度在 集成光电器
共掺杂的 Ba Sr TiO 铁电陶瓷厚膜 利用 XRD １０~１００ m
０．８ ０．２ ３ μ
[１２Ｇ１３]
、 、 和荧光光谱仪研究了稀土掺杂对 件 .因此本文应用丝网印刷工艺在氧化铝衬底上
SEM EDSRaman
. , 制备了稀土 ３＋/ ３＋ 共掺杂的 厚
厚膜微结构和发光性能的影响 实验发现 在低掺杂 Yb Tm Ba Sr TiO
０．８０ ０．２０ ３
３＋ ３＋
、 , .
量时 离子在 晶格中首先替代 位离 膜 报道了厚膜的微结构及其上转换发光特性
Yb Tm BST B
, .
子 高掺杂量时则同时占据 位和 位离子 掺杂后
A B
实 验
２
.
的厚膜仍表现为典型的铁电四方相结构 在 ８００nm
３＋
, 、
近红外激光激发下 共掺杂的BST厚膜中的Tm 离 ２．１ YbTm共掺杂BST铁电厚膜的制备
３＋
、 、 、
子通过 离子的敏化作用在 与 处实现
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