极化子效应对ZnS／CdSe量子点三阶极化率的影响-发光学报.PDF

第３０卷　第４期 发　光　学　报 Ｖｏｌ３０ Ｎｏ４ ２００９年８月 ＣＨＩＮＥＳＥＪＯＵＲＮＡＬＯＦＬＵＭＩＮＥＳＣＥＮＣＥ Ａｕｇ．，２００９ 文章编号：１０００７０３２（２００９）０４０５３５０６ 极化子效应对 ＺｎＳ／ＣｄＳｅ量子点三阶极化率的影响 陈知红，王军延，方天红 （孝感学院物理与电子信息工程学院，湖北 孝感　４３２０００） 摘要：在有效质量近似下，利用量子力学的密度矩阵理论，采用无限深势阱模型，从理论上计算了考虑极化 子效应后在导带子带间跃迁时ＺｎＳ／ＣｄＳｅ柱型核壳结构量子点二次电光效应（ＱＥＯＥ）和电吸收过程（ＥＡ）的 三阶极化率。通过数值计算，分析了电子ＬＯ声子和电子ＩＯ声子相互作用对ＺｎＳ／ＣｄＳｅ柱型核壳结构量子点 二次电光效应和电吸收过程的三阶极化率的影响。结果表明，极化子效应对二次电光效应的三阶极化率 （３） （３） 和电吸收过程的三阶极化率 都有很大影响，并且影响的大小与量子点的尺寸大小有关。 χ χ ＱＥＤＥ ＥＡ 关　键　词：非线性光学；三阶极化率；极化子效应；二次电光效应；电吸收过程 中图分类号：Ｏ４３７；Ｏ４７２．３　　　ＰＡＣＳ：４２６５．Ａｎ　　　ＰＡＣＣ：４２６５　　　文献标识码：Ａ 点中的二次电光效应和电吸收过程。但迄今为 １　引　　言 止，很少有人系统地研究极化子效应对低维量子 自１９７５年 Ｅｓａｋｉ等人第一次提出了量子线 系统非线性光学性质的影响。 和量子点的概念后，近二十年来对低维半导体的 目前，关于极化子效应对核壳结构量子点非 研究无论是在基础理论方面还是在应用开发方面 线性光学性质的影响这方面的研究还比较少，极 都十分活跃。在量子点结构中，电子、空穴和激子 化子效应对二次电光效应和电吸收过程的影响的 在三维空间受限，呈现具有分立能级的量子态，使 相关研究就更少了。本文选择柱型的ＺｎＳ／ＣｄＳｅ 得它具有独特的物理特性，如电子结构、输运性质 核壳结构量子点，讨论极化子效应对此量子点的 和光学特性等。特别是，量子点体系作为人工可 二次电光效应和电吸收过程的三阶极化率的影 剪裁的材料，与体材料相比有着显著的非线性光 响，并证明极化子效应对三阶极化率的影响是相 学效应，而且其激发阈值也大大降低，因此量子点 当重要的。 体系的光学性质越来越受到人们的重视［１，２］。 ２　理　　论 维度的降低，使得电子声子相互作用在决定 低维系统的一些物理性质，如输运性质、光学性质 ２．１　电子、声子以及电声相互作用哈密顿量 等方面起着重要作用，这些性质可用来指导制造 考虑一个电子被约束在柱型核壳结构量子点 光电器件，具有非常广泛的应用前景。所以，近十 中，其中核材料为ＺｎＳ，壳层材料为ＣｄＳｅ。在量子 几年来，声子对电子、空穴或激子的影响成为低维 点的外层空间充满非极性介质，可以用它来形成 ［３］ 体系研究的一个热点。郭康闲等 讨论了电场 无限深势阱。柱型量子点的高度为ｄ，核的半径 作用下极化子效应对量子阱的二次谐波产生的影 为Ｒ，壳的半径为Ｒ，具体模型如图１所示。