表面态-悬挂键概念相关知识.pptxVIP

悬挂键dangling bond; 如图所示，体内的每个硅原子周围都有四对共价键，而表面处的硅原子上方没有其他硅原子，就形成了一些不饱和的“悬挂键”。在悬挂键上只有一个电子，既可以得到电子，也可以放出电子，而成为带电的表面状态。 如果表面上每一个原子都有一个悬挂键，都对应一个表面态，那么，表面态的密度就与硅原子面密度数量级相同。; 实际的Si-SiO2界面的表面态密度只有1010-1012厘米-2，低于面密度1015厘米-2。一般认为，硅片表面生长有氧化层时，硅表面的悬挂键由于与氧结合而大大减少，如图所示。;悬挂键还有两种可能的带电状态：;例:Si(111)2×1的重构; Si的原子序数为14， 其外层电子为：1S22S22P63S23P2; 由于表面周期势场的中断，A键悬空形成悬挂键。这是SP3将发生退化形成单独的S或P键。;俄歇电子能谱(AES);俄歇过程理论; 俄歇过程涉及三个能级：初始空位、填充电子和跃迁电子各自所在的能级。 可以根据参与俄歇过程的能级的结合能计算出不同元素的各俄歇电子能量。设原子的原子序数为Z，以KL1L2为例：;(2)内壳层产生空位 用电离截面（ Qw ）来表示原子与外来粒子相互作用时发生电子跃迁产生空穴的几率。;(3) 发生俄歇跃迁 电离原子的去激发，有两种不同的方式： ?一种是电子填充内层空位，辐射特征X射线的过程，称为荧光过程； ?另一种便是俄歇过程。记发生荧光过程的几率为Px，发生俄歇过程的几率为Pa，则;由图可见，Z19，Pa在90％以上；Z=33，Px＝Pa。;（4）俄歇电子从产生处传输到表面，从固体表面逸出 俄歇电子从产生处向表面输运，可能会遭到弹性散射或非弹性散射，方向会发生变化，如果是非弹性碰撞，能量会受到损失。能量受到损失，便会失去所携带的元素特征信息。 用来进行表面分析的俄歇电子，应当是能量无损地输运到表面的电子，因而只能是在很浅处产生，这就是俄歇谱擅长表面分析的原因。;俄歇电子谱仪;16;俄歇电子能谱图的分析技术 1 俄歇电子能谱的定性分析 俄歇电子的能量仅与原子本身的轨道能级有关，与入射电子的能量无关，即与激发源无关。对于特定的元素及特定的俄???跃迁过程，其俄歇电子的能量是特征的，因此可根据俄歇电子的动能用来定性分析样品表面物质的元素种类。 ?AES定性分析可以适用于除氢、氦以外的所有元素，且由于每个元素会有多个俄歇峰，定性分析的准确度很高。 ?AES技术是适用于对所有元素进行一次全分析的有效定性分析方法。; 金刚石表面的Ti薄膜的俄歇定性分析谱(微分谱)，电子枪的加速电压为3 kV;19;20;21;(2)线扫描分析 线扫描分析可以在微观和宏观的范围(1~6000 μm)内进行。俄歇电子能谱的线扫描分析常应用于表面扩散研究、界面分析研究等方面。;（3）元素面分布分析 ?也可称为俄歇电子能谱的元素分布的图像分析。 ?可以把某个元素在某一区域内的分布以图像的方式表示出来。结合俄歇化学位移分析，还可以获得特定化学价态元素的化学分布像，即元素的化学价态分布图。 ?俄歇电子能谱的面分布分析适合于微型材料和技术的研究，也适合表面扩散等领域的研究。;INSERT THE TITLE OF YOUR PRESENTATION HERE ;Free PPT Templates - Widescreen(16:9);Click to add title