第05章双极晶体管及其版图.pdfVIP

第五章 有源器件双极晶体管及其版图 学习指导 学习目标与要求 1．了解集成电路中有源器件的分类 2 ．了解集成电路中有源器件双极晶体管版图定义、内涵及实质，掌握集成电路中有源器件 版图的特点 3．掌握集成电路中有源器件双极晶体管的特性、不同类型双极晶体管版图设计及双极晶体 管版图的失配及匹配的设计技巧 4 ．基本掌握集成电路中有源器件双极晶体管版图设计方法 学习重点 1．集成电路中有源器件双极晶体管的特性； 2 ．不同类型双极晶体管版图设计及双极晶体管版图的失配及匹配的设计技巧。 学习难点 1．双极晶体管版图的失配及匹配的设计技巧 一、 双极型晶体管的工作原理 下图是一个 NPN 晶体管的简化模型，二极管 D1 代表晶体管的发射结、电流控制电流 源 I1 代表通过反偏集电结的少子电流。电流增益是β 。端电流有如下关系：I = β *I 。 F C F B 与 MOS 管不同，BJT 要求有稳定的基极电流以维持集电极电流，因此双极型晶体管经 常被称做电流控制型器件。这其实是一种误解，因为晶体管还可以被发射结电压驱动，该电 压使 D1 导通并且为晶体管提供基极电流 晶体管处于正常放大区时，集电极电流I ，发射结电压V ，发射极饱和电流 I ，热电 C BE S 压 VT 之间有如下关系： ， 发射极饱和电流 由很多因素决定，包括基区和发射区扩散的杂质分布以及发射结的 有效结面积。热电压 VT 与绝对温度线性相关，在 298K （25 °C ）时为 26mV 。发射结电压 表现为负温度系数，约为-2mV/ °C 。 1. β值下降 β值受集电极电流的影响变化很大。下图显示了标准双极型工艺制造的小信号NPN 管 和横向 PNP 管的典型β曲线。 2. 雪崩击穿 发射结和集电结的击穿决定了一个双极型晶体管的最大工作电压。重要的三种击穿电压 为 VEBO ，VCBO ，VCEO 等。 1）集电极开路时发射结击穿电压表示为 VEBO 。对于标准双极型工艺制造的NPN 晶体管， VEBO 大约 7V 左右。 2 ）发射极开路时集电极的击穿电压表示为 VCBO ，绝大多数晶体管的集电区和基区都是轻 掺杂的，所以 VCBO 通常很大，对于标准双极型工艺制造的 NPN 晶体管VCBO 的值从 20V-120V 。 3 ）基极开路时集电极和发射极间的击穿电压用 VCEO 表示，由于β倍增效应，VCEO 比 VCBO 要小得多。 4 ）基极和发射极短接时，集电极和发射极之间的击穿电压用 VCES 表示。 5 ）基极和发射极之间连接电阻，发射极和集电极间的击穿电压为 VCER 3. 热击穿和二次击穿 双极型晶体管工作于相对较高的温度时容易产生一种失效机制，称之为热击穿。 随着晶体管逐渐变热，晶体管内稳定的电流流动区域会逐渐变小，直到所有电流都流过 一个很小的温度很高的区域，称为热点。 存在稳定热点的晶体管经常会在关断时自毁。失效经常发生在电压远小晶体管所标 VCEO 的情况下。主要是因为集电结的雪崩效应产生的。这种意外的雪崩电压降低被称为二 次击穿。这种现象是由于稳定热点的存在，从而导致晶体管内出现极大电流密度的结果。 热击穿和二次击穿通过限制晶体管的工作条件来避免。 4. NPN 晶体管的饱和状态 当NPN 晶体管的发射结和集电结都处于正偏时就会进入饱和工作状态。经常有意使功 率晶体管进入饱和工作状态可以减低集电极-发射极饱和压降 VCE 并使功耗达到最小。然而 遗憾的是，饱和状态也会带来很多问题。双极型晶体管意外进入饱和状态将比其他与设计相 关的缺陷引发更多的电路故障。 饱和工作状态对分立和集成晶体管具有不同的影响。对于分立晶体管，饱和状态只会延 长关断时间。高速晶体管电路通常内含抗饱和和位电路，或者采用可防止发生饱和的电流结 构。 饱和情况对于结隔离