分析TFT亮态漏电流影响因素的测试方法-液晶与显示.PDF

第 卷 第 期 液晶与显示 ３０ 　 ４ 　　 Vol．３０　No．４ 　 　　　　 　　　　　　ChineseJournalofLiuidCrstalsandDislas 年 月 q y p y ２０１５ ８ 　 　 　 Au．２０１５ g 文章编号: ( ) １００７Ｇ２７８０２０１５０４Ｇ０６２８Ｇ０６ 分析TFT亮态漏电流影响因素的测试方法 , , , , , 侯清娜 张新宇 王 峥 林鸿涛 冯 兰 刘 冬 　 　 　 ( , ) 北京京东方显示技术有限公司 北京 １００１７６ : , , . 摘要 对于薄膜晶体管液晶显示器来说 的特性对产品的品质有很大的影响 而其亮态漏电流 的影响尤为重要 TFT I off , . , 为改善器件性能 需要深入分析 TFT亮态漏电流的影响因素 本文在实验基础上提出一种测试方法 首先使用 BM PR ( ) ; . 对 沟道的不同位置进行遮挡 再对遮挡样品进行 特性测试 进而能模拟出实际 BlackMatrixPhotoResist TFT TFT , , . 工作中的TFT亮态漏电流 可以更加简便有效地优化 TFT下方的栅极金属线宽 同时降低亮态漏电流 最后制作了 ( ) , , , ５４．６cm ２１．５in改善样品 通过新测试方法分析 将栅极金属线加宽约 １．５ m 改善后样品的亮态漏电流从 １４．０８ A μ p . , , 降至约 ９．５０ A 所以 使用新的测试方法无需将样品制作到模组后再进行品质评价 简单有效并降低了产品制造 p 成本. : ; ; 关 键 词 薄膜晶体管液晶显示 测试方法 亮态漏电流 　 　 TFT 中图分类号: 文献标识码: : /