1模拟电子技术简明教程_杨素行主编_第一章 (2).ppt

1.3.1　三极管的结构 　　常用的三极管的结构有硅平面管和锗合金管两种类型。 图1.3.2　三极管的结构 (a)平面型(NPN) N e c N P b 二氧化硅 e 发射极，b基极， c 集电极。 图 1.3.3　三极管结构示意图和符号　　(a)NPN 型 e c b 符号 集电区 集电结 基区 发射结 发射区 集电极 c 基极 b 发射极 e N N P 集电区 集电结 基区 发射结 发射区 集电极 c 发射极 e 基极 b 　 　 c b e 符号 N N P P N 图 1.3.3　三极管结构示意图和符号　　(b)PNP 型 半导体三极管的型号 第二位：A锗PNP管、B锗NPN管、 C硅PNP管、D硅NPN管 第三位：X低频小功率管、D低频大功率管、 G高频小功率管、A高频大功率管、K开关管 用字母表示材料和工艺类型 用字母表示器件的种类 用数字表示同种器件型号的序号 用字母表示同一型号中的不同规格 三极管 国家标准对半导体器件型号的命名举例如下： 3DG110B 1.3.2　三极管载流子的运动和电流分配关系 以 NPN 型三极管为例讨论 c N N P e b b e c 表面看 　　三极管若实现放大，必须从三极管内部结构和外部所加电源的极性来保证。 　不具备放大作用 三极管内部结构要求： N N P e b c N N N P P P 　　1. 发射区高掺杂。 　　2. 基区做得很薄。通常只有几微米到几十微米，而且掺杂较少。 　　三极管放大的外部条件：外加电源的极性应使发射结处于正向偏置状态，而集电结处于反向偏置状态。 3. 集电结面积大。 三极管中载流子运动过程 ⑴ 发射区向基区注入电子，形成电子电流IEn，同时基区向发射区注入空穴，形成空穴电流IEp，因为IEnIEp，所以发射极电流IE≈IEn。 ⑵ 注入电子在基区边扩散边复合，形成复合电流IBn。 ⑶ 集电区收集扩散来的电子，形成集电极电流IC。 ⑷ 集电结两边少子的漂移，形成集电结漂移电流， 通常称为反向饱和电流ICBO。 电子注入 复合 少子漂移 b e c e Rc Rb 　三极管的电流分配关系 IEp ICBO IE IC IB IEn IBn ICn IC = ICn + ICBO IE = ICn + IBn + IEp 　= IEn+ IEp 一般要求 ICn 在 IE 中占的比例尽量大。而二者之比称共基直流电流放大系数，即 一般可达 0.95 ~ 0.99 IB + ICBO = IBn + IEp IE = IC + IB 三个极的电流之间满足节点电流定律，即 IE = IC + IB 代入(1)式，得 其中： 共射直流电流放大系数。 上式后一项常用穿透电流ICEO 表示。 当 ICEO IC 时，忽略 ICEO，则由上式可得 三极管的电流分配关系 交流放大倍数 ? 和 ? 的定义，根据三极管中三个电流的关系，可得 故 ? 与 ? 两个参数之间满足以下关系： 1.3.3　三极管的特性曲线 1 输入特性 2 输出特性 O IB/?A iC / mA uCE /V 100 μA 80μA 60 μA 40 μA 20 μA iB = 0 0 2 4 6 8 4 3 2 1 饱和区 放 大 区 截止区 IC / mA UCE /V 100 μA 80μA 60 μA 40 μA 20 μA IB =0 O 5 10 15 4 3 2 1 饱和管压降 UCES 0.4 V(硅管)，UCES 0. 2 V(锗管)，通常分别取0.3 V和0.1 V 饱和区 放 大 区 截止区 发射结正偏 放大 i C= ? iB 集电结反偏 饱和 i C ＜ ? iB 两个结正偏 I CS= ? IBS 临界 截止 iB ≈ 0, iC ≈ 0 电流关系 状态 条 件 两个结反偏 Je正偏 Jc零偏 或Je正向电压0.5V 判断BJT工作状态——电压比较法(NPN) Je正偏电压小于死区电压，Jc反偏 BJT截止 Je正偏 放大还是饱和？ 先求IB 假设放大，再求IC 求UCE后与UBE比较 UCE UBE BJT放大 UCE UBE BJT饱和 I C = ? IB UCE = UBE BJT临界饱和 若饱和,则需利用UCES重新计算IC VCC VBB Rb Rc 10V 2V 2KΩ 20KΩ + UBE — + UCE — IB IC P37 题1－14（a） ：已知三极管β=50