第一节光电式传感器-.pptVIP

第七章 光电式传感器;　　　　　　　　　7.1 光电式传感器 　　光电式传感器是以光电效应为基础，将光信号转换成电信号的传感器。光电式传感器由于反应速度快，能实现非接触测量，而且精度高、分辨力高、可靠性好，加之半导体光敏器件具有体积小、重量轻、功耗低、便于集成等优点，因而广泛应用于军事、宇航、通信、检测与工业自动控制等各个领域中。 　　工业生产和现实生活中光电传感器的应用非常广泛，现举几个常见的实例。 ;照相机自动测光 工业测光;光电鼠标就是利用LED与光敏晶体管组合来测量位移;;7.1.1 光电效应及器件 ;一个电子，因此单个光子把全部能量传给物体中的一个自由电子。使自由电子的能量增加hν。这些能量一部分用作电子逸出物体表面的逸出功A，另一部分变电子的初动能。即;二、外光电效应器件 1．光电管及其结构 根据外光电效应制成的光电管类型很多，最典型的是真空光电管。也有充气光电管，但由于线性不好在传感器中用得较少。真空光电管的结构如图所示，它由一个阴极和一个阳极构成，共同封装在一个真空玻璃泡内，阴极和电源负极相联，一个阳极通过负载电阻同电源正极相接，因此管内形成电场。当光照射阴极时、电子便从阴极逸出，在电场作用下被阳极收集，形成电流I，该电流及负载R L上的电压将随光照强弱而变化，从而实现了光信号转换为电信号的目的。 ;; 2．真空光电管的伏安特性 真空光电管的伏安特性曲线如右下图所示，其饱和光电流与入射光的强度成正比。; 同理D1发射的电子在D2更高正电位作用下，再次被加速打在D2极上，D2又会产生二次电子发射，这样逐级前进，直到电子被阳极A收集为止。通常光电倍增管的阳极与阴极间的电压为1000?2500V，两个相邻倍增电极的电位差为50? 100V，其灵敏度比普通真空光电管高几万到几百万倍，因此在很微弱的光照下也能产生很大的光电流。;三、光电导效应和光生伏特效应(内光电效应) 物体受光照射后，其内部的原子释放出电子并不逸出物体表面，而仍留在内部，使物体的电阻率发生变化或产生光电动势的现象称为内光电效???。前者称为光电导效应，后者称为光生伏特效应。半导体材料在光线作用下电导率增加的现象就是光电导效应。 1．光敏电阻 光敏电阻是一种用光电导材料制成的没有极性的光电元件，也称光导管。它基于半导体光电导效应工作。由于光敏电阻没有极性，工作时可加直流偏压或交流电压。当无光照时，光敏电阻的阻值(暗电阻)很大。电路中电流很小。当它受到一定波长范围的光照射时，其阻值(亮电阻)急剧减小，电路中电流迅速增加，用电流表可以测量出电流。根据电流值的变化，即可推算出照射光强的大小。 ⑴ 暗电阻、亮电阻 光敏电阻未受光照时的阻值称为暗电阻，受强光照射时的阻值称为亮电阻。暗电阻越大亮电阻越小灵敏度越高。;; ⑵ 光敏电阻的伏安特性 在一定光照下，所加的电压越高，电流越大；在一定的电压作用下，入射光的照度越强，电流越大，但并不一定是线性关系。 ⑶ 光敏电阻的光谱特性 对于不同波长的光，光敏电阻的灵敏度是不同的。在选用光电器件时必须充分考虑到这种特性。; (4)光敏电阻的响应时间和频率特性 光电器件的响应时间反映它的动态特性。响应时间越短，表示动态特性越好。对于采用调制光的光电器件，调制频率的上限受响应时间的限制。光敏电阻的响应时间一般为10-1?10-3s，光敏二级管的响应时间约2?10-5s。 ⑸ 光敏电阻的温度特性 随着温度的升高，光敏电阻的暗电阻和灵敏度都要下降，温度的变化也会影响光谱特性曲线。硫化铅光敏电阻等光电器件随着温度的升高光谱响应的峰值将向短波方向移动，所以红外探测器往往采取制冷措施。; 2．光敏二极管和光敏三极管 ⑴ 光敏二极管 半导体光敏二极管与普通二极管相比，有许多共同之处，它们都有一个PN结，均属单向导电性的非线性元件。光敏二极管一般在负偏压情况下使用，它的光照特性是线性的，所以适合检测等方面的应用。 光敏二极管在没有光照射时，反向电阻很大，反向电流(暗电流)很小(处于载止状态)。受光照射时，结区产生电子 — 空穴对，在结电场的作用下，电子向N区运动、空穴向P区运动而形成光电流,光敏二极管的光电流I与照度之间呈线性关系。;; ⑵光敏三极管的结构与原理 光敏三极管是一种相当于在基极和集电极之间接有光电二极管的普通三极管。在正常工作情况下，此二极管应反向偏置。因此，不