黄冈中学201年高三5月第二次模拟考试.doc

· PAGE 19· 黄冈中学2018年高三5月第二次模拟考试 数学（理科）试卷 试卷满分：150分 一.选择题：共12小题，每小题5分，共60分.在每个小题给出的四个选项中，只有一项是符合题目要求的. 1. 已知集合，则（ ） A． B． C． D． 2. 若复数，则的共轭复数的虚部为（ ） A． B． C． D． 3. 设，则的大小关系是( ) A． B． C． D． 4．一个几何体的三视图如图所示，那么 这个几何体的表面积是( ) A． B． C． D． 5. 下列命题正确的个数是（ ） 若是两条不同的直线，是两个不同的平面，若，则 命题“”的否定是“” 函数在处取得最大值，则正数的最小值为 若随机变量，则， .已知随机变量，则 A．个 B．个 C．个 D．个 6. 过双曲线上任意点作双曲线的切线，交双曲线两条渐近线分别交于两点，若为坐标原点，则的面积为( ) A．4 B．3 C．2 D．1 7. 函数在的图像大致为( ) 8. 大衍数列，来源于《乾坤谱》中对易传“大衍之数五十”的 推论，如图一，主要用于解释中国传统文化中的太极衍生原理. 数列中的每一项，都代表太极衍生过程中曾经经历过的两仪 数量总和.它是中华传统文化中隐藏着的世界数学史上第一道数 列题，0，2，4，8，12，18，…，如图二，是求大衍数列 前项和的程序框图，执行该程序框图，输入，则输 出的为（ ） A. 100 B. 250 C. 140 D. 190 9．已知所在平面内有两点，满足，若 ，,则的值为( ) A. B. C. D. 10.已知三棱锥的底面是以为斜边的等腰直角三角形，且，则该三棱锥的外接球的体积为( ) A. B. C. D. 11.实数，满足约束条件，它表示的平面区域为，目标函数的最小值为.由曲线，直线及轴围成的平面区域为，向区域内任投入一个质点，该质点落入的概率为，则的值为( ) A． B． C． D． 12. 若函数有三个不同的零点，则实数a的取值范围是( ) A. B. C. D. 二.填空题：本大题共4小题，每小题5分,共20分. 13.若的展开式中的常数项是，则实数的值为_________. 14．已知椭圆的左焦点，过点作倾斜角为的直线与圆相交的弦长为，则椭圆的离心率为_________. 15.已知正项等比数列的前项和为且，则的最小值为_________. 16.在中，角所对的边分别为，已知，，则的面积的最大值为 ． 三.解答题：本大题共6小题，共70分. 解答应写出文字说明、证明过程或演算步骤. （一）必考题 17.（本小题满分12分）在中，角，，的对边分别为，，，且． （1）求角的大小；（2）若等差数列的公差不为零，且，且、、成等比数列，求的前项和． 18.（本小题满分12分）如图，在四棱锥中，为钝角三角形，侧面垂直于底面，，点是的中点，，，. （1）求证：平面平面； （2）若直线与底面所成的角为，求二面角余弦值． 19.（本小题满分12分）IC芯片堪称“国之重器”，其制作流程异常繁琐，制作IC芯片核心部分首先需要制造单晶的晶圆，此过程主要是加入碳，以氧化还原的方式，将氧化硅转换为高纯度的硅.为达到这一高标准要求，研究工作人员曾就是否需采用西门子制程（Siemens process）这一工艺标准进行了反复比较，在一次实验中，工作人员对生产出的50片单晶的晶圆进行研究，结果发现使用了该工艺的30片单晶的晶圆中有28片达标，没有使用该工艺的20片单晶的晶圆中有12片达标． （1）用列联表判断：这次实验是否有99.5%的把握认为单晶的晶圆的制作效果与使用西门子制程（Siemens process）这一工艺标准有关？ （2）在得到单晶的晶圆后，接下来的生产制作还需对单晶的晶圆依次进行金属溅镀，涂布光阻，蚀刻技术，光阻去除这四个环节的精密操作，进而得到多晶的晶圆，生产出来的多晶的晶圆经过严格的质检，确定合格后才能进入下一个流程.如果生产出来的多晶的晶圆在质检中不合格，那么必须依次对前四个环节进行技术检测并对所有的出错环节进行修复才能成为合格品.在实验的初期，由于技术的不成熟，生