GB/T 36613-2018发光二极管芯片点测方法.pdf

ICS 31.260 L 45 国 中华人民共和国国家标准 GB/T 36613-2018 发光二极管芯片点测方法 Probe test method for light emitting diode chips 2018-09-17 发布 2019-01-01 实施 国家市场监督管理总局峪非 中国国家标准化管理委员会 0(.. 'I (J GB/T 36613-2018 目次 前言 ………………………………….. .. . ...……………………………………………………….. I 引言 ……………………………………………………………………………………… n 1 范围 ……………………………………………………………………………………………·… 1 2 规范性引用文件 ………………………………………………………………………………………… 1 3 术语和定义 ……………………………………………………………………………………………… 1 4 芯片测试条件及步骤 …………………………………………………………………………………… 2 5 电参数点坝。……………………………………………………………………………………………… 5 6 光参数点测……………………………………………………………………………………………… 5 7 静电放电敏感性点测 …………………………………………………………………………………… 6 GB/T 36613-20 18 目u 昌 本标准按照GB/T 1.1-2009 给出的规则起草。 请注意本文件的某些内容可能涉及专利。 本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。 本标准向中华人民共和同了业和信息化部（电子）归口。 本标准起草单位： 三安光电股份有限公司、厦门市三安光电科技有限公司、中同电子技术标准化研 究院、广州赛西标准检测研究院有限公司。 本标准主要起草人：蔡伟智、梁奋、刘秀娟、李国煌、口艳、金威、邵晓娟、周钢、时军朋。 I GB/T 36613-2018 引 半导体发光二极管芯片作为发光二极管器件的核心部件，其性能好坏直接影响发光二极管器件在 半导体照明产品上的应用。 如何准确测试半导体发光二极管芯片的光电性能，成为芯片制造和使用中 的重要环节。 该标准的制定是为了确保在规模化生产的同时芯片质量可靠稳定。 II GB/T 36613-2018 发光二极管芯片点测方法 1 范围 本标准规定了发光二极管芯片（以下简称“芯片”）光参数、直流电参数以及静电放电敏感性的点测 条件和点视rJ 方法。 本标准适用于批量生产的可见光发光二极管正装芯片和薄膜芯片的检测方法。 紫外光、红外光发 光二极管芯片以及外延片的点坝。也可参照使用。 本标准不适用于发光二极管芯片的热参数和交流特性测试。 2 规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。 凡是注日 期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文 件。 凡是不注日期的引