基于IGBT光伏发电逆变电路的设计.pdfVIP

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2019-04-12 发布于广西
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基于IGBT光伏发电逆变电路的设计.pdf

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2012年1月15日现代电子技术 Jan．2012 ModernElectronics 第35卷第2期 Technique V01．35NO．2 基于IGBT光伏发电逆变电路的设计张艳燕，许忠仁，穆克 (辽宁石油化工大学信息与控制工程学院，辽宁抚顺 113001) 摘要：为满足高压大容量逆变系统的要求，设计采用绝缘栅双极晶体管IGBT组成逆变电路的光伏发电系统。通过对逆变电路中的重要环节分别提出改进方案来优化电路设计。最终既满足对高压大容量系统要求，又可以提高整个系统工作效率，使得整个系统达到最优状态。关键词：太阳能；光伏发电；逆变电路；绝缘栅双极晶体管中图分类号：TN911-34；TP212文献标识码：A 文章编号：1004—373x(2012)02—0205—03 ofIGBT-basedinvertercircuitfor Design photovoltaicpowergeneration ZHANG Yan-yan，XUZhong—ren (Informationandcontrol Shihua 113001，China) engineeringinstitute，LiaoningUniversity，Fushun meetthe of inverter Abstract：Torequirementshigh voltagelarge-capacitysystems，aphotovoltaicpowergenerationsys— tamwithaninvertercircuit oftheinsulated transistor(IGBT)wastothe composed gatebipolar designed．Accordingprinciple ofsolar schemetO and thecircuit is forwardonthebasisofcom— photovoltaicpowergeneration，aimproveoptimize designput MOSFETwiththeinvertercircuit ofIGBT．Itnot meetsthe of paring composed only requirementshighvoltage also the ofthewhole andmakesthewhole system，butimprovesefficiency system systemoptimal． transistor Keywords：solarpower；photovoltaicpowergeneration；invertersystem；insulatedgatebipolar 国内外大多数光伏发电系统是采用功率场效应管研究太阳能光伏发电的过程，就需要重点研究逆变电路 MOSFET构成的逆变电路。然而随着电压的升高，这一部分。如图2(a)所示，是采用功率场效应管 MOSFET的通态电阻也会随着增大，在一些高压大容量的系统中，MOSFET会因其通态电阻过大而导致增加开关损耗的缺点。相比之下，绝缘栅