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第五章 结型场效应晶体管 5-1 硅N沟道JFET具有图5-1a的结构以及以下参数：，，，和，计算：（a）自建电势，（b）夹断电压 ，（c）电导G以及（d）在栅极和漏极为零偏压时实际的沟道电导。 解： (a) （b） (c) () (d) () 5-2 试推导N沟道JEFT的电流与电压、关系。它的截止面为2a×2a，为所包围，器件长度为L。 2a2a 解： 2a 2a = 5-3.解： G2SD G2 S D = = 5-4 计算并画出在25、150和-50G时习题5-1中JFET的转移特性。采用第一章给出的电子迁移率数据。栅电压的增量采用0.5V 。 解：转移特性 ，， 由此得下表：其中，n、u为查表所得 T u cm/v.s n cm 在T= 25G时，有 0 -0.5 -1 -1.5 -2 4.46 2.57 1.26 0.44 0.05 在T= 150G时，有 0 -0.5 -1 -1.5 -2 2.43 1.47 0.79 0.39 0.08 在T= -50G时，有 0 -0.5 -1 -1.5 -2 9.69 5.95 3.29 1.49 0.42 由此可得近似的图形为： 5-5 （a）计算并绘出在25G时 （b）若=50时，重复（a）. 解： 其中，，， 由此可得下表： （v） 0 0.5 1 1.5 2 2.53 （m） 4.32 3.06 2.04 1.16 0.37 1.16 （m） 3.55 2.65 1.85 1.09 0.36 1.09 由此画得草图如下： 10 10 5-6 (a) 估算习题5-1中JFET的截止频率。 (b) 若L=2um，重复（a）。 (c) 若采用N型GaAs，重复（b） 解：a) 由 ， 即 可得 b） c) GaAs: ， 5-7 计算在和时，习题5-1中JFET的漏极电阻。 解：当时， ， 由于 ， 取 ，则 ， 取 ，则 ， ( k) 5.8下图为结型场效应晶体管的低频小信号等效电路图，其中RS为源极电阻。证明：由于RS的存在，晶体管的跨导变成 式中为忽略RS时的跨导。 G G + + S _ _ S Rs D IDS 解：有RS存在时，由回路可知 （2分） 即 所以 即 。 5-9一个N沟增强型GaAs MESFET在T=300K时，假设。N沟道掺杂浓度。计算沟道厚度a。 解： 由 有 说明：N沟增强型MESFET内夹断电压低于内建电势差。很小的沟道厚度可以形成 较大的阈值电压。