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上页 下页 后退 模拟电子 模拟电子技术基础 上页 下页 返回 半导体 —— 导电能力介于导体和绝缘体之间 物质根据其导电能力（电阻率）分 半导体 绝缘体 导体 1. 半导体 最常用的半导体材料 锗 硅 半导体的几个重要特性： （1） 热敏特性 （2）光敏特性 （3）掺杂特性 +14 2 8 4 Si 硅原子结构示意图 +32 2 8 18 Ge 锗原子结构示意图 4 原子结构示意图 +4 硅、锗原子的简化模型 平面结构 立体结构 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 2. 本征半导体 本征半导体就是完全纯净的半导体 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 共价键 价电子 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 本征半导体受热或光照 本征激发产生电子和空穴 自由电子 空穴 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 电子空穴成对产生 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 电子空穴复合，成对消失 本征激发使空穴和自由电子成对产生。 相遇复合时，又成对消失。 可见： 空穴浓度（np)=电子浓度(nn) 温度T一定时 np× nn=K(T) K(T) —— 与温度有关的常数 在外电场作用下 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 U 电子运动形成电子电流 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 U 在外电场作用下 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 U 在外电场作用下 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 U 在外电场作用下 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 U 在外电场作用下 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 U 在外电场作用下 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 U 价电子填补空穴而使空穴移动，形成空穴电流 在外电场作用下 (1) 在半导体中有两种载流子 这就是半导体和金属导电原理的 本质区别 a. 电阻率大 (2) 本征半导体的特点 b. 导电性能随温度变化大 可见： 带正电的空穴 带负电的自由电子 本征半导体不能在半导体器件中直接使用