模电资料-半导体二极管及其应用.pptVIP

1.1.1 PN结的形成;+14;平面结构;Si;Si;Si;;电子和空穴的产生过程动画演示; 本征激发使空穴和自由电子成对产生。;半导体导电机理动画演示;1) 在半导体中有两种载流子;2．杂质半导体 ;Si;Si;+;N型半导体的形成过程;c. 电子是多数载流子，简称多子;空穴是少数载流子，简称少子。;(2) P型半导体 ;Si;Si;;-;P型半导体的形成过程;c. 空穴是多数载流子,电子是少数载流子。;当掺入三价元素的密度大于五价元素的密度时，可将N型转型为P型；;N;使半导体的一边形成N型区，另一边形成P型区;PN结形成过程动画演示;耗尽层 势垒区 空间电荷区;当N区和P区的掺杂浓度不等时：;1.1.2 PN结的单向导电性;PN结正偏动画演示;小结： ▲当PN结加上正向电压时，形成 多子的扩散电流（较大）。;;PN结反偏动画演示;小结： ▲当PN结加上反向电压时，形成少子的漂移电流（很小）。 ▲因少子浓度主要与温度有关，反向电流与反向电压几乎无关。此电流称为反向饱和电流，记为IS。 ;1.1.3 PN结的电压与电流关系;IS—PN结反向饱和电流;（1）当u=0时，i=0;思 考 题;1.2 半导体二极管;半导体二极管的外型和符号;半导体二极管的类型;1.2.2 半导体二极管的伏安特性 ;(1) 整个正向特性曲线近似地呈现为指数形式。;(3) 导