数电教材入第7章半导体存储器.pptVIP

第七章 半导体存储器 7.1 概述 2.存储器的性能指标 a. ROM ： **PROM在出厂时存储内容全为1（或者全为0),用户可根据自己的需要写入，利用通用或专用的编程器，将某些单元改写为0(或为1)。 b.随机存储器RAM（读写存储器） （2）从制造工艺上分类 7.2 只读存储器（ROM） a.存储矩阵 b.地址译码器 2. 二极管ROM电路 其中： (2)由CMOS构成 7.2.2 可编程只读存储器（PROM） 二 、E2PROM（Electrically Erasable Programmable Read－Only Memory，简写为E2PROM） b. 擦除（写1）状态 c.写入（写0)状态 三、 快闪存储器（Flash Memory） b. 写入状态： c. 擦除状态： 7.3 随机存储器（RAM） 其中： *地址译码器： *读/写控制电路: 注：上述框图的双向箭头表示一组可双向传输数据的导线，它所包含的导线的数目等于并行输入/输出数据的位数。 图7.3.2为1024×4位的RAM2114的工作原理图 * 存储矩阵：2114中有64行×（16×4)列＝4096个存储单元，每个存储单元都是由6个NMOS管组成，其示意图如图7.3.4所示。 二、 SRAM的静态存储单元 其中： T5、T6的开关状态是由 字线Xi 决定，当Xi ＝1时， T5、T6导通，锁存器的输出