第1章常用半导体器件10.pptVIP

第 1 章 常用半导体器件 电子电路就是将电子器件与通常的电阻、电容、电感、开关等元件适当地连接起来。 电子电路与普通电路的的区别也就在于它们含有电子器件，而这些器件的特性往往是非线性的。 1.1 半导体基础知识 一、本征半导体 二、杂质半导体 三、PN结的形成及其单向导电性 一、本征半导体 导电性介于导体与绝缘体之间的物质称为半导体。 无杂质 稳定的结构 本征半导体是纯净的晶体结构的半导体。 1、什么是半导体？什么是本征半导体？ 导体－－铁、铝、铜等金属元素等低价元素，其最外层电子在外电场作用下很容易产生定向移动，形成电流。 绝缘体－－惰性气体、橡胶等，其原子的最外层电子受原子核的束缚力很强，只有在外电场强到一定程度时才可能导电。 半导体－－硅（Si）、锗（Ge），均为四价元素，它们原子的最外层电子受原子核的束缚力介于导体与绝缘体之间。 1.1 半导体基础知识 2、本征半导体的晶体结构 1.1 半导体基础知识 硅和锗都是四价元素，在原子最外层轨道上的四个电子称为价电子。它们分别与周围的四个原子的价电子形成共价键，共价键中的价电子为这些原子所共有。 (a) 硅和锗的晶体结构 (b) 共价键结构平面示意图 (c) 2、本征半导体的晶体结构 1.1 半导体基础知识 价电子 共价键 单晶体中的共价键结构 共价键有很强的结合力，使原子规则排列，形成晶体。 共价键中的两个电子被紧紧束缚在共价键中，称为束缚电子。 3、本征半导体中的两种载流子 1.1 半导体基础知识 在绝对0度（T=0K）和没有外界激发时,价电子完全被共价键束缚着，本征半导体中没有可以运动的带电粒子（即载流子），它的导电能力为 0，相当于绝缘体。 T = 0，不导电 1.1 半导体基础知识 +4 自由电子 空穴 当 T  ，有少数价电子克服共价键的束缚成为自由电子，在原来的共价键中留下一个空位——空穴。 3、本征半导体中的两种载流子 这一现象称为热激发，也叫本征激发。 　空穴可看成带正电的载流子。 自由电子和空穴使本征半导体具有导电能力，但很微弱。 室温下，产生自由电子、空穴对 3、本征半导体中的两种载流子 温度升高，热运动加剧，挣脱共价键的电子增多，自由电子与空穴对的数目就加大。即载流子的浓度与温度密切相关，它随着温度的升高而增加。 自由电子也可能回到空穴中去，称为复合，这时自由电子和空穴同时消失。 1.1 半导体基础知识 在一定温度下，热激发和复合会达到动态平衡，自由电子与空穴的数目（浓度）就一定了。 总结 1.1 半导体基础知识 本征半导体中两种载流子同时参与导电 本征半导体中，自由电子和空穴总是成对出现，称为 电子 - 空穴对。 本征半导体中自由电子和空穴的浓度用 ni 和 pi 表示，显然 ni = pi 。 本征半导体的导电能力取决于载流子的浓度。温度越高，载流子的浓度越高，因此其导电能力也越强。 温度是影响半导体性能的一个重要的外部因素，这是半导体的一大特点。 二、杂质半导体 在本征半导体中掺入某些微量元素作为杂质，可使半导体的导电性发生显著变化。 掺入的杂质主要是三价或五价元素，掺入杂质后的本征半导体称为杂质半导体。 1.1 半导体基础知识 杂质半导体 N型半导体 P型半导体 1.1 半导体基础知识 1. N型半导体 ------------掺入五价元素 N 型半导体的晶体结构 在N型半导体中，掺杂浓度远大于本征半导体中载流子的浓度，所以，自由电子浓度远大于空穴的浓度，即 n p 。电子称为多数载流子(简称多子)，空穴称为少数载流子(简称少子)。 N型半导体主要靠电子（多数载流子）导电。 1.1 半导体基础知识 2. P型半导体 ----------掺入三价元素 P 型半导体的晶体结构 　在P型半导体中，空穴浓度大于电子浓度，即 p n。空穴为多数载流子，电子为少数载流子。 P型半导体主要靠空穴导电。 1.1 半导体基础知识 半导体中的电流 I IP IN I = IP + IN N 型半导体 I  IN P 型半导体 I  IP 杂质半导体中多子和少子的移动都能形成电流。但由于数量的关系，起导电作用的主要是多子。近似认为多子与杂质浓度相等。 1.1 半导体基础知识 说明： 　　1. 掺入杂质的浓度决定多数载流子浓度；温度决定少数载流子的浓度。 3. 杂质半导体总体上保持电中性。 4. 杂质半导体的表示方法如下图所示： 　　2. 杂质半