S料号跟进结果.doc

To:林筱、黄长国 CC：吕经理 曾课长、胡课 Fr：李恒增 DATE：2006-1-10 主题：关于33S料号板批量跟踪结果 测试板： 料号: 33S4N0159 数量：270PNL， 板厚：4MIL ,尺寸：18X24 33S4N110 数量：220PNL 板厚：4MIL 尺寸：18Χ24 33S4N098 数量：134PNL 板厚：4MIL 尺寸：18Χ24 测试目的: 对曝光能量提高、底片清洁频率提高后的33S料号良率跟踪批量结果。 测试时间: 2006-1-10 测试条件： 工序 (Process) 实際值 (Actual Value) 备備注 微蝕速度(Conveyor Speed) 2.8M/MIN 微蝕温度(Mild Etch Temp.) 32℃ 微压力 (Spraying Pressure) 1.5/1.5 微蝕量 (Etch Rate) 38u″ 烘干温度(Drying Temp.) 80℃ 涂布间隙 (Distance between two Rollers) 0.1 油墨黏度 (Viscosity) 58S 膜厚 (Coating Thickness) 11-13微米 烘烤温度 (Drying Temperature) 105,115,120,115℃ 曝光能量 (Exposure Energy) 7格 底片清洁15\清洁一次(酒精清洁) 温度 (Temperature) 22.5度,53.1% 顯影液濃度 (Developer Concentration) 2#1.07% 顯影速度 (Conveyor Speed) 2.9M/MIN 顯影温度 (Developing Temperature) 2#37℃ 顯影压力 (Spraying Pressure) 1.8-2.0 顯影点 (Break Point) 30% 水洗压力 (Water Rinse Spray Pressure) 1.5KG/CM2 水流量 (Water Flow Rate) 水洗阀半开 蝕刻液温度 (Etching Temperature) 50℃ 蝕刻液压力 (Etchant Spray Pressure) 2.8-3.0kg/cm2 水洗压力 (Water Rinse Spraying Pressure) 1.5 –1.8kg/cm2 水流量 (Water Flow Rate) 8L 去膜濃度 (Stripper Concentration) 2# 1% 去膜温度 (Stripping Temperature) 55℃ 去膜压力 (Stripping Pressure) 2.0-2.1 去膜速度 (Conveyor Speed) 3.1M/MIN 抗氧化濃度 (Anti-oxidant Concentration) 抗氧化压力(Anti-oxidant Spraying Pressure) 水洗压力 (Water Rinse Spraying Pressure) 1.5-1.7 水流量 (Water Flow Rate) 10 干燥温度 (Drying Temperature) 80℃ 测试结果： 料号 Board Number 批号 生产数 total 不良数 良率 蚀刻不净 开路 open 短路 short 缺口 nick 孔短 残铜 凸位 备注 remark 33S4N098 Lot356 134 9 94 % 1 1 7 33S4N159 Lot47 150 11 93% 1 5 5 33S4N159 Lot63 120 9 93% 1 1 7 33S4N110 Lot35 80 3 96% 2 1 33S4N110 Lot43 140 17 88% 4 1 12 测试结论： 通过以上AOI结果，33S料号缺口，开路要比之前没有提高曝光能量及底片清洁频率时要少很多。建议在生产过程中对33S特殊料号采用7格曝光能量生产。另在跟进过程中，我们发现涂怖后板面仍有赃点，望贵司对涂怖保养落实实施。谢谢！