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第二章 IC 封裝製程 IC封裝 IC 封裝乃是將IC前段製程加工完成後所提供之晶圓做切割分離成一顆顆晶粒，並外接信號線以傳遞電路訊號，及做IC封膠來保護IC元件。 IC封裝製程 IC封裝製程主要包括 晶圓切割； 晶片黏結； 連線技術； 封膠； 剪切成型； 印字； 檢測； IC塑膠封裝的流程 晶圓切割 在晶圓背面貼上膠帶(Blue Tape) 晶圓黏片(Wafer Mount) 晶圓切割機 晶圓切割 晶圓黏結 將IC晶片固定於封裝基板或導線架中晶片座(die paddle)上並利用環氧樹脂(銀膠)將之黏結的製程步驟 晶片黏結製程 黏結法 黏結法 金-矽共晶黏結法：陶瓷封裝(主要) 玻璃膠黏結法 高分子膠黏結法：塑膠封裝 焊接黏結法 金-矽共晶黏結法 利用金-矽合金在3wt％，363℃時產生的共晶(Eutectic)反應特性進行。 處理方法： IC晶片置於已鍍有金膜的基板晶片座上，加熱至約425℃，藉金-矽的交互擴散而完成接合。 環境：熱氮氣環境 防矽高溫氧化 金-矽共晶黏結法 反應前前處理：基板/晶片交互磨擦 除氧化表層、增加反應液面濕潤性 潤濕不良接合之結果: 導致孔洞的產生而使接合強度與熱導性降低 造成應力分佈不均 金-矽共晶黏結法 預型片彌補基板孔洞平整度不佳時所造成接合不完全的缺點 厚度約25mm，其面積約為晶片的三分之一材質為金2-wt%係合金薄片 植於基板之晶片座上