102存储器外部电路.pptVIP

存储器外围电路 TEE8502的总体结构 外围电路 内层外围电路：功能电路，它是直接控制存储矩阵工作的功能块。 外层外围电路：工作模式控制电路，它把把外部信号转换成若干内部控制信号，对内层外围电路进行控制。 1.内层外围电路 地址缓冲器 地址译码器 位写入电路 灵敏读放电路 存储管控制栅电平VCG产生电路 存储管源电平VS产生电路 （1）地址缓冲器 地址缓冲器的功能 把TTL电平转换成MOS电平，并使输出具有驱动大量地址译码器的能力。 执行工作模式控制 （2）地址译码器 行译码器 列译码器 （3）位写入电路 引脚I/O是共用的，因此数据线D和I/O间是双向信息通路。读出工作时，位读出电路工作；字节擦写模式时，位写入电路工作。 （4）灵敏读放电路 灵敏放大器的作用一方面要限制D的摆幅，另一方面要具有较大的放大系数，在较小负载电容的输出点上得到合适的电平和足够的电压摆幅，驱动输出缓冲器。 灵敏放大器是影响读出速度的关键。 （5）存储管控制栅电平VCG产生电路 根据TEE8502 存储矩阵工作原理，擦操作时VCG应接近21V，写操作时VCG应接近0V，读操作时VCG应接近3V左右。 （6）存储管源电平VS产生电路 在写的时候，PLOTOX存储管源接+5V，非写情况下接地，因此VS产生电路是由WRT信号控制的推挽电路。 2.外层外围电路 控制信号缓冲器 电平鉴别电路 片擦信号发生