12 功率场效应晶体管 44 绝缘栅双极型晶体管IGBT 44其他器件.pptVIP

* * 1.2.3 功率场效应晶体管 功率场效应晶体管是20世纪70年代中后期开发的新型功率半导体器件，通常又叫绝缘栅功率场效应晶体管，简称为PMOSFET，用字母PM表示。功率场效应晶体管已发展了多种结构型式，本节主要介绍目前使用最多的单极VDMOS、N沟道增强型PM， 因源极S与漏极D间存在寄生二极管。管子截止时，漏源间的反向电流就在此二极管内流动。因此，PMOSFET又可用图b表示。 在变流电路中，PMOSFET自身的寄生二极管流过反向大电流，可能会导致元件损坏。为避免电路中反向大电流流过PMOSFET，在它的外面常并接一个快速二极管VD2，串接一个二极管VD1。因此，PMOSFET元件在变流电路中的实际形式如图c。 ?特点——用栅极电压来控制漏极电流 驱动电路简单，需要的驱动功率小。 开关速度快，工作频率高。 热稳定性优于GTR。 电流容量小，耐压低，一般只适用于功率不超过10kW的电力电子装置 。 1、当栅—源极间的电压UGS≤0或0＜UGS≤UV（UV为开启电压，又叫阈值电压，典型值为2～4 V）时，即使加上漏—源极电压UDS，也没有漏极电流ID出现，PM处于截止状态。 2、当UGS＞UV且UDS＞0时，会产生漏极电流ID，PM处于导通状态，且UDS越大，ID越大。另外，在相同的 UDS下，UGS越大，ID越