不同硅晶面指数上的类倒金字塔结构研究与分析-中国科学院物理研究所.PDF

物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 67, No. 22 (2018) 226801 不同硅晶面指数上的类倒金字塔结构研究与分析 陈全胜 刘尧平 陈伟 赵燕 吴俊桃 王燕 杜小龙 1) (中国科学院物理研究所, 北京凝聚态物理国家研究中心, 北京 100190) 2) (中国科学院大学物理科学学院, 北京 100049) ( 2018 年7 月2 日收到; 2018 年9 月21 日收到修改稿) 晶体硅作为一种重要的半导体材料, 在集成电路、太阳能电池等方面具有广泛的应用. 基于各向异性的刻 蚀方法, 不同晶面指数的硅都可以在表面形成由{111} 晶面族组成的正/倒金字塔. 本文基于{111} 晶面族与 () 晶面相交构成类倒金字塔结构的特性, 建立了硅的晶面指数() 与所形成的类倒金字塔结构的数学模 型. 将硅的晶面指数() 分成 , , 三种情况进行讨论, 分别得到不同 晶面指数的类倒金字塔结构. 实验结果的扫描电子显微镜图证实了理论计算的准确性. 晶面指数与类倒金字 塔结构具有一一对应的关系, 因此可以根据各向异性刻蚀后的类倒金字塔结构, 进行硅的晶面指数进行检测. 关键词: 硅的晶面检测, 硅的晶面指数, 类倒金字塔 PACS: 68.55.jm, 52.77.Bn, 61.05.–a, 42.66.Lc DOI: 10.7498/aps.67 高, 限制了多晶硅电池效率的进一步提升. 基于碱 1 引 言 的各向异性刻蚀方法, 可在硅片表面形成均匀的正 金字塔结构, 该结构具有比蠕虫状结构更加优异的 硅材料由于其在地壳中丰富的储量、无毒和价 光学性能而被广泛地应用于单晶硅太阳能电池工 格低廉等原因被广泛应用于光伏太阳能电池行业 7 艺中 . 由于正金字塔结构尺寸较大, 不同晶向之 1 中 . 光滑的硅表面具有较高的反射率, 导致大量 间容易产生台阶导致漏电, 因此各向异性的刻蚀工 的光能被浪费, 大大限制了太阳能电池的效率. 为 15 艺无法在多晶硅工艺中广泛应用 . 随着金刚线 了提高太阳光的利用程度, 许多课题组对在硅表面 切多晶硅片技术的推广, 越来越多的人尝试使用各 制备的微纳减反射结构从理论和实验角度进行了 种各向异性的刻蚀方法在多晶硅表面制备出类倒 广泛的研究24 . 金字塔结构, 如铜金属催化刻蚀9101617 , NSR 重 目前, 硅片表面的微纳减反射结构主要包括圆 构技术等1213 . 上述方法不但可以解决金刚线切 5 6 78 913 坑状 、蠕虫状 、正金字塔 、倒金字塔 、 多晶硅制绒难的问题, 同时可以进一步降低硅片表 14 纳米线等 结构. 其中圆坑状结构和蠕虫状结 面的反射率, 进而提高太阳能电池的转换效率. 倒 构是通过HF 和HNO3 的各向同性刻蚀方法制备获 金字塔结构与正