1-半导体基础知识77089.pptVIP

  • 5
  • 0
  • 约5.59千字
  • 约 49页
  • 2019-03-30 发布于湖北
  • 举报
五、主要参数 直流参数: 、 、ICBO、 ICEO c-e间击穿电压 最大集电极电流 最大集电极耗散功率,PCM=iCuCE=Constant 安全工作区 交流参数:β、α、fT(使β=1的信号频率) 极限参数:ICM、PCM、U(BR)CEO 讨论一 由图示特性求出PCM、ICM、U (BR)CEO 、β。 2.7 uCE=1V时的iC就是ICM U(BR)CEO 讨论二:利用Multisim测试晶体管的输出特性 利用Multisim分析图示电路在V2小于何值时晶体管截止、大于何值时晶体管饱和。 讨论三 以V2作为输入、以节点1作为输出,采用直流扫描的方法可得! 约小于0.5V时截止 约大于1V时饱和 描述输出电压与输出电压之间函数关系的曲线,称为电压传输特性。 BJT管特点 1)是“电流控制型”器件(IB控制IC); 2)要得到所需的放大(控制)特性,三个极外加电压极性必须正确,且管子处于放大区; 3)要取得大的控制电流,输入阻抗不能太高; 4)极间漏电流是十分有害的。 §1.4 场效应管(以N沟道为例) 场效应管也有三个极:源极(s)、栅极(g)、漏极(d),对应于晶体管的e、b、c;有三个工作区域:截止区、恒流区、可变电阻区,对应于晶体管的截止区、放大区、饱和区。 1. 结型场效应管 符号 结构示意图 栅极 漏极 源极 导

文档评论(0)

1亿VIP精品文档

相关文档