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光敏晶体管和光电池 光电元件的理论基础是光电效应。光电效应就是在光线作用下，物体吸收光能量而广生 相应电效应的一种物理现象，通常可分为外光电效应、内光电效应和光生伏特效应三种类型。 1．外光电效应 在光线作用下，电子从物体表而逸出的物理现象 基于外光电效应的光电元件有光电管。 2．内光电效应 称为外光电效应，也称光电发射效应。 在光线作用下．物体电阻率发生变化的现象称为内光电效应，又称为光电导效应。 光电效应的光电冗什有光敏电阻和光敏晶体管。 入光生伏特效应 在光线作用下，物体产生一定方向电动势的现象称为光生伏特效应。基于光生如 的光电元件是光电他。 (三)光敏晶体管 1．概 速 温度上升，暗电流增大，灵敏度下降，这也是光敏电阻的另 这里的光敏晶体管指的是光敏二极管和光敏三极管。它的：L：作原理也是基于内光电 效应。 光敏二圾管的结构与一般二极管相似、它的PN结装在管的顶部，可以直接受到光照射， 光敏：：极管在电路巾一般处于反向工作状 HYPERLINK http://www.ebv.hk/ TI代理商态，如图1Z2—4(b)所示。在图12—4(a)中结出光敏 二极管的结构示意图及符号，图12—4(b)中给出的是光敏二极管的接线图，光敏二极 管在不受光照例时处于截止状念．受光服肘时光敞二极管处于导通状怂。 光敏三极蚜J1PNP型和NPN型两种。七的结构、等效电路、图形符号及应用屯路如阐 12—l所尔。光敏二极管的工作原四足由光敏一极管勺普通三极管的J—作原理组合而成。如 闯12—5(b)所不，光敏二极管在光照作用下．产：生珏极电流．即光电流，与普通三极管的放大 作均相似．在案电极上则产：止足光Ib流A倍的集电极电流，所以光敏二极管[七光傲二极管义有 更高的灵敏度。 行叫牛产厂家还将光敏三极管与另一只普通三极管制作在间一个管壳甲，连接成复合管 型式，An图12—5(e)所示．称为达林顿型)L敏子极管。它的灵敏度更人(4＝局品)．但达林顿型 光敏三极管的漏电流(暗电流)较 HYPERLINK http://www.ebv.hk/atmel ATMEL大，频响较差，温漂也较大。 2．光敏g6R体管的基本特性 (1)光诺特性 光敏品体管硅管的峰值波长为o．9f1“、左右，锗管酌峰值波长为1．5ym左 右。出丁锗管的呛电流比硅管大，因此，般来说，锗管的性能较差．故在?U见光或探测炽热状 态物体n小都采用硅管。们对红外光进行探测时，则锗管较为合适。 (2)伏安特性 阁l 2—6所示为锗光敏三极管的伏安持件曲线。光敏三极管公不问照度只F的伏安特性，就像一般十被管公不向的基极屯流叫的输山特性‘样，只要将入射光在发的极与尽极之间的PN结附近所产 生的光IU流看做基被电流．就可将光敏二极管看成一船的三极管。 (3)光电特性 光敏从体管的输出电流J，利光照度瓦之间的关系可近似地看做线性义系。 (4)温度特件 铬光敏晶体管的温度变化对输出l包流的影响较小，主要出光照度所决定、们暗电流随温度变化很大。因此．应用时必须在线路上采取措施边行温度补偿。 (5)响应K1“间 硅和锗光敏二极管的响应时间分别为10“s和1()‘s左右，光敏三极管 的响应时间比相应的二极管约慢一个数量级、因此，在要求快速响府或人别光调制频率较雨时 选用砧光敏二极管教合适。 [四)光电池 光电他的工作原理是基于光生伏特效应。它的种类很多，有硅、硒、硫化铰、肺化钢等，其 感光灵敏度随材料和工艺方法的不同而有差异。目前，应用最广泛的是酸光屯池，它具Jf性能 稳定、光谱范围宽、频率特性好、传递效率高等优点．但对光的晌I hz速度还不够高*另外，内J— 硒光电他的光涪峰值位置在人眼的视觉范围内．所以很多分析仪器、测量仪器也常用到它，下 面着重介绍妓光电他的基本特性。 ([)光谱特性 图12—7所尔为硒光 HYPERLINK http://www.ebv.hk/ ATMEL代理商电池和硅光电池的光谱持件曲线。即相对灵敏度尺r 和入射光波长A之间的关系曲线。从曲线上可以看出．不同稠料光电池的光谱峰值位置是不 向的。例如v硅光电池可在o．45—1．1Pm范围内使用；丽硒光电池只能在o．M—o．57P”范 闹内使用。 (2)光电特性 图12—8所尔为硅光电他的光电特性肋线．其中光生电动势t／与光照度 f。间的特性曲线称为开路电压曲线；光电流强度J e与乙问的特性曲线称为短路电流曲线。 从。图中可以看出，短路电流在很大范围内与光照度成线性关系，