2011-4-第四章场效应管及应用电路.pptVIP

4.2 场效应管基本放大电路 基本放大电路 (3)共栅放大电路 S G D rds gmUgs S G D 电压增益 Id Id=gmUgs+Uds/rds Uds=Uo-Ui Uo= -IdRD Ugs= -Ui Id= -gmUi+(- IdRD -Ui)/rds ri ri 当rdsRD时， (3)共栅放大电路（续） S G D rds gmUgs S G D 电压增益 Id ri ri AU≈ gmRD rdsR‘D，gmrds1 输入电阻 ≈1/gm， ri≈Rs//1/gm 基本放大电路 (3)共栅放大电路（续） 电压增益 AU≈ gmRD 输入电阻 ri≈1/gm ri≈Rs//1/gm S G D rds gmUgs 输出电阻 ro ro=rds ro=rds//RD≈ RD 电压增益高，输入电阻很低，输出电阻高，输出电压与输入电压同相。 3.FET放大电路三种组态性能比较 同相 较高 低 高 共栅 同相 低 高 低 共漏 反相 较高 高 高 共源 输入与输出电压关系 ro’ ri’ Aus 组态 小 结 场效应管放大电路主要有共源、共栅和共漏三种基本组态放大器。 静态偏置电路主要有自给偏置电路和外置偏置电路两种。自给偏置电路适用于结型和耗尽型场效应管。而对增强型场效应管只能采用外置偏置电路。 静态分析可采用计算法和图解法。 动态分析与三极管基本相似，主要采用微变等效电路法进行分析。 第四章结束 绝缘栅场效应管 N 沟 道 耗 尽 型 P 沟 道 耗 尽 型 各类绝缘栅场效应三极管的特性曲线小结（续） 四、效应管的主要参数及特点 直流参数 2. 饱和漏极电流IDSS 耗尽型MOSFET、JFET，当UGS=0时所对应的漏极电流。 1.阈值电压（or称为开启电压、夹断电压) 漏源电压UDS恒定时，使ID=0时的电压。 增强型MOSFET阈值电压用UGS,th表示，也成为开启电压； 耗尽型MOSFET和JFET阈值电压用UGS,off表示，也称为夹断电压。 3. 直流输入电阻RGS 栅源间所加的恒定电压UGS与流过栅极电流IGS之比。结型场效应三极管，反偏时RGS约大于107Ω， 绝缘栅场效应三极管RGS约是109～1015Ω。 1. 低频跨导gm 低频跨导反映了栅压对漏极电流的控制作用 gm的求法: ① 图解法：gm实际就是转移特性曲线 i D=f(uGS) 的斜率 ②解析法：如增强型MOS管存在 iD=K(uGS-UGS,th)2 交流参数 gm与 iD成正比关系。 ⊿ID ⊿ UGS Q 练习：计算低频跨导gm 。 显然：gm大小与工作点有关, ID越大,gm越大。 2. 衬底跨导gmb 反映了衬底偏置电压对漏极电流ID的控制作用 跨导比 交流参数 3. 动态漏极电阻rds 反映了uDS对iD的影响，实际上是输出特性曲线上工作点切线上的斜率。一般是几十～几百千欧姆。 交流参数 4. 极间电容 Cgs—栅极与源极间电容，约1～3PF Cgd —栅极与漏极间电容，约1～3PF Csd —源极与漏极间电容，约0.1～1PF Cgb —栅极与衬底间电容Csb —源极与衬底间电容 Cdb —漏极与衬底间电容 主要的极间电容有： 交流参数 2. 漏源击穿电压UDS,B (或用符号BUDS 表示） 使ID开始剧增时的UDS。 1.栅源击穿电压UGS ,B (或用符号BUGS表示） JFET：反向饱和电流剧增时的栅源电压。 MOS：使SiO2绝缘层击穿的电压。 极限参数 3. 最大漏极电流IDM 管子正常工作时漏极电流的上限值。 4.最大漏极耗散功率PDM PD=iDuDS 应用：根据IDM 、PDM、 UDS,B可以确定管子的安全工作区。 附录 1.与双极型三极管相同 第三位字母 J 代表结型场效应管，O 代表绝缘栅型场效应管。 第二位字母代表材料，D是P型硅N沟 道；C是N型硅P沟道。 例如3DJ6D是结型N沟道场效应三极管，3DO6C是绝缘栅型N沟道场效应三极管。 CS代表场效应管，××以数字代表型号的序号，#用字母代表同一型号中的不同规格。 例如CS14A、CS45G等。 场效应三极管的型号现行有两种命名方法： 2.第二种命名方法是CS××#： 小 结 1. 场效应管种类很多，主要有结型和绝缘栅场效应管。 结型有N沟道和P沟道两种， 栅源必须加反偏压才能工作，如N沟道在UGS0下工作， P沟道在UGS0下工作。 绝缘栅场效应管有N沟道增强型、 N沟道耗尽型、 P沟道增强型、P沟