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A 命题教师： 吴春霞 共6 页第1 页卷 江 苏 大 学
命题教师：
吴春霞
共6 页
第1 页
（2011 -2012 学年第 一 学期）
学生所在学院 材料科学与工程学院 专业、班级 学号 姓名
学生所在学院 材料科学与工程学院 专业、班级 学号 姓名
使用班级 无机光电0901、0902 考试日期 2011
题 号
一
二
三
四
五
六
七
八
总分
核查人签名
得 分
阅卷教师
一、名词解释题（共10题，每题3分）
1、区熔提纯
2、反外延
3、间接跃迁
4、MOCVD
江 苏 大 学 试 题 第2页
5、 超晶格
6、阱宽
7、贫乏层
8、临界半径
9、成核率
10、完整突变光滑面
二、简述题（共10题，每小题5分）
1、简述高纯硅的制备过程
2、一次区熔提纯和正常凝固的区别和联系
3、假设一从熔体中生长晶体的过程是从成核开始的（核已达临界半径），试问在给定的温度下，该晶体生长的过程是等速的吗？说明理由。
4、Ko是体系处于固、液两相平衡时得出的杂质分配关系，试做出界面附近Ko小于1和大于1的杂质分布图。
5、什么是有效分凝系数？请写出它与平衡分凝系数K0的关系式，并给出字母的物理含义。
6、试举出ii-vi族化合物中存在的6种缺陷，并说明其在晶体中的位置和产生的能级性质。
7、什么是液相生长？必须满足的热力学条件是什么？
8、试述直拉法单晶中纵向电阻率均匀性的控制方法
9、什么是自补偿现象？
10、在SOS技术中存在着外延层的生长和腐蚀的矛盾，如何解决？
三、计算题（第1小题6分，第2,3小题各7分）
1、硅多晶200g，掺P-Si母合金0.5g，拉单晶头部电阻率为1.0Ω·cm（相应掺杂浓度为5.2×1015
根据左图推算出当BPS公式中
根据左图推算出当BPS公式中，和 时对于k为0.1、0.5和10.0的杂质的平衡分凝系数的值。
3、欲把1100g高纯多晶硅拉制成ρ=20~50Ω·cm的N型单晶。试拉制杂质浓度为5×1013cm-3的P型单晶，责应掺入电阻率为8×10-3Ω
已知：坩埚直径为13cm，硅和母合金熔化到放肩约1h。
由硅的ρ-N图查得掺磷母合金8×10-3Ω·cm，相应的杂质浓度为7×1018cm-3；。ρ=50Ω·cm的N型Si单晶所对应的杂质浓度为1×1014cm-3； E磷=10-4
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