电子第5章双极型三极管及放大电路基础1.pptVIP

第5章 双极型三极管 第5章 半导体三极管 §5.1 半导体三极管（BJT—双结晶体管） 5.1.1 基本结构 5.1.2 BJT的电流分配和放大原理 ☆三极管的基本接法 5.1.3 特性曲线 2. 输出特性 例2： 5.1.4 主要参数 1. 电流放大系数，? 2. 极间反向电流 3. 极限参数： 5.1 半导体三极管（BJT—双结晶体管） 频率： 高频管、低频管 功率： 材料： 小、中、大功率管 硅管、锗管 类型： NPN型、PNP型 半导体三极管: 是具有电流放大功能的元件 分类： N N P NPN型 b e c b e c PNP型 P P N 基极 发射极 集电极 符号： b e c iB iE iC b e c iB iE iC NPN型三极管 PNP型三极管 发射极箭头表示：当发射结正偏时，电流的流向。 发射极 集电极 基极 集电极电流 发射极电流 基区：最薄， 掺杂浓度最低 发射区：掺 杂浓度最高 发射结Je 集电结Jc b e c N N P 基极 发射极 集电极 集电区： 面积最大 问题：c、e两极可否互换？ BJT结构特点： ? 发射区的掺杂浓度最高； ? 集电区掺杂浓度低于发射区，且面积大； ? 基区很薄，一般在几个微米至几十个微米，且掺杂浓度最低。 管芯结构剖面图 BJT结构剖面图： b e c N N P EB RB EC RC 在三极管内部： 发射结正偏、集电结反偏 PNP管 发射结正偏 VBVE 集电结反偏 VCVB 1. 三极管放大的条件 从外部的电位看： NPN 管 发射结正偏 ：VBVE（EB来实现） 集电结反偏：VCVB （EC来实现） 共射放大电路 5.1.2 BJT的电流分配与放大原理 2. 内部载流子的传输过程 三极管的放大作用是在一定的外部条件控制下，通过载流子传输体现出来的。 外部条件：发射结正偏，集电结反偏。 发射区：发射载流子 以上看出，三极管内有两种载流子(自由电子和空穴)参与导电，故称为双极型三极管。或BJT (Bipolar Junction Transistor)。 （以NPN为例） 放大状态下BJT中载流子的传输过程 基区：传送和控制载 流子 集电区：收集载流子 ?、? 为电流放大系数，它只与管子的结构尺寸和掺杂浓度有关，与外加电压无关。一般 ? ?1，?≈几十。 3.三极管电流分配关系 IE＝IC＋ IB （3） （4） （2） （1） ☆ 4.三极管的电流分配关系总结 （5）电流放大系数 共集电极接法： c作为公共端； b为输入端， e为输出端； 共基极接法： b作为公共端， e为输入端， c为输出端。 共发射极接法： e作为公共端； b为输入端， c为输出端； 　发射极是输入回路、输出回路的公共端 1. 共发射极电路 输入回路 输出回路 IC VBB mA ?A VCE VBE RB IB VC C + + – – – – + + 注意：T的类型与VBE、IB、VCE、IC极性 e b c vCE = 0V + - b c e 共射极放大电路 VBB VCC vBE iC iB + - vCE iB=f(vBE)? vCE=常数 (2) 当vCE≥1V时， vCB= vCE - vBE0，集电结已进入反偏状态，开始收 集电子，基区复合减少，同样的vBE下 IB减小，特性曲线右移。 vCE = 0V vCE ? 1V (1) 当vCE=0V时，相当于发射结的正向伏安特性曲线。 （以共射极放大电路为例） 1. 输入特性曲线 (3) 输入特性曲线的三个部分 ①死区 ②非线性区 ③线性区 1. 输入特性曲线 5.1.3 BJT的特性曲线 结论：整体是非线性的，局部可看作是线性的 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 3 6 iC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 9 12 O 放大区 输出特性曲线通常分三个工作区： (1) 放大区 在放大区有 iC=? iB ，也称为线性区，具有恒流特性。 在放大区，发射结处于正向偏置、集电结处于反向偏置，晶体管工作于放大状态。 + - b c e RL iB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 3 6 iC(mA ) 1 2 3 4 vCE(V) 9 12 O （2）截止区 iB ＝0 以下区域为截止区，有 iC =ICEO? 0 。 在截止区发射结Je处于反向偏置，集电结Jc处于反向偏置，晶体管工作于截止状态。